制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术的实施例涉及制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成延伸穿过多个层的开口；在所述开口中形成衬垫层；以及在所述开口中沉积金属材料，其中，所述金属材料包含杂质，并且通过所述衬垫层作为催化剂的化学反应将所述杂质转化为气态产物。所述杂质转化为气态产物。所述杂质转化为气态产物。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法
[0001]分案申请
[0002]本申请是2015年11月10日提交的标题为“用于去除非铜沟槽中的杂质的沟槽衬垫”、专利申请号为201510759574.1的分案申请。


[0003]本专利技术实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0004]半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速发展。IC材料和设计的技术进步产生了多代IC，其中，每一代都具有比先前一代更小且更复杂的电路。然而，这些进步已经增大了处理和制造IC的复杂程度，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。在集成电路演化过程中，功能密度(即，每一芯片面积上互连器件的数量)通常在增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))却已减小。
[0005]作为半导体制造的一部分，可以形成导电元件以对IC的各个组件提供电互连。通常，通过在各个层中蚀刻沟槽+通孔或开口并且利用导电材料填充这些沟槽+通孔来形成这些导电元件。然而，随着半导体制造技术节点不断演进，关键尺寸变得如此小以至于使利用导电材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成延伸穿过多个层的开口；在所述开口中形成衬垫层；在所述开口中沉积金属材料，其中，所述金属材料包含杂质，并且通过所述衬垫层作为催化剂的化学反应将所述杂质转化为气态产物；去除所述气态产物；以及执行退火工艺以去除在沉积所述金属材料时留下的空隙。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积包括沉积不含铜的金属材料。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述沉积包括沉积钴或铑作为所述金属材料。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积包括化学汽相沉积(CVD)工艺。5.一种制造半导体器件的方法，包括：形成延伸穿过在衬底上方形成的一层或多层的沟槽；在所述沟槽中形成阻挡层；在所述阻挡层上方形成衬垫层；在所述衬垫层上沉积非铜金属材料，其中，所述非铜金属材料包含配体杂质，并且所述配体杂质至少部分通过所述衬垫层用作催化剂的加氢甲酰化催化工艺转化为可去除的产物...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宪昌，苏莉玲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：