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本发明的实施例涉及制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成延伸穿过多个层的开口；在所述开口中形成衬垫层；以及在所述开口中沉积金属材料，其中，所述金属材料包含杂质，并且通过所述衬垫层作为催化剂的化学反应将所述杂质转化为气态产物。所述杂质转化...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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