一种半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆上形成有金属层；在所述晶圆上形成第一金属间介电层；对所述第一金属间介电层进行加热处理；对所述第一金属间介电层进行氧化处理；在所述第一金属间介电层上形成第二金属间介电层。根据本发明专利技术的半导体器件的制作方法，通过对第一金属间介电层进行加热处理和氧化处理，以在第一金属间介电层和第二金属间介电层之间的界面处形成致密的氧化层，避免水汽侵蚀以及游离F离子的扩散与析出，从而避免了在晶圆边缘处生成气泡状缺陷，提高了晶圆的良率。提高了晶圆的良率。提高了晶圆的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制作方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路的特征尺寸的减小，金属连接线间的关键尺寸(CD)也跟着减小，在0.11um-0.18um的金属间电介质(Inter-Metal Dielectric，IMD)工艺中，采用高密度等离子体化学气相沉积(High density plasma CVD，HDPCVD)形成绝缘介质，为降低金属连接线间的介电常数以提升电路的传输速率，采用掺氟硅玻璃(FSG)作为金属间的介质。
[0003]一般情况下，掺氟硅玻璃(FSG)的F含量为4％左右，F离子在硅玻璃中主要是有两种状态：与Si悬挂键结合形成Si-F键、游离态F离子。F在硅玻璃中的状态主要受反应过程中的反应温度影响，当反应温度过低会造成氟硅玻璃中游离态的F离子过多，由于FSG相对比较疏松易吸附水汽造成游离F离子析出，表现在晶圆(wafer)上就是气泡状的缺陷。
[0004]因此，有必要提出一种新的半导体器件的制作方法，以解决上述问题。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆上形成有金属层；在所述晶圆上形成第一金属间介电层；对所述第一金属间介电层进行加热处理；对所述第一金属间介电层进行氧化处理；在所述第一金属间介电层上形成第二金属间介电层。2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一金属间介电层包括掺氟硅玻璃，所述第二金属间介电层包括掺氟硅玻璃。3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，采用高密度等离子体化学气相沉积形成所述第一金属间介电层，采用等离子体增强化学气相沉积形成所述第二金属间介电层。4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述加热处理的温度范围为380℃-400℃。5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述氧化处...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯冰，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：