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本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆上形成有金属层；在所述晶圆上形成第一金属间介电层；对所述第一金属间介电层进行加热处理；对所述第一金属间介电层进行氧化处理；在所述第一金属间介电层上形成第二金属间介电层。...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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