半导体结构的制造方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种半导体结构的制造方法。其中，所述方法包括：提供基底结构；所述基底结构包含第一开口；在所述第一开口的侧壁形成第一厚度的第一介质层；所述第一介质层的厚度随着所述第一开口深度的增加而减小；对所述第一介质层进行离子注入，部分所述第一介质层形成掺杂层；对所述掺杂层进行刻蚀，去除部分所述掺杂层，得到第二厚度的第一介质层，所述第二厚度小于所述第一厚度；其中，在刻蚀的过程中，刻蚀源对所述掺杂层刻蚀的量随着所述第一开口深度的增加而减小。述第一开口深度的增加而减小。述第一开口深度的增加而减小。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]相关技术中，通常采用原子层沉积(ALD，Atomiclayer Deposition)技术在具有一定开口深度的沟道孔(CH，Channel Hole)中形成阶梯覆盖率(英文可以表达为Step Coverage)较好的介质层，以使沟道孔上下电性差异较小，满足工艺要求。然而，随着沟道孔的深度逐渐增加，ALD技术受到挑战。
[0003]因此，亟待一种有效的半导体结构的制造方法，在深度较深的开口中沉积薄膜时，能够改善沉积的介质层的形态，从而减少因介质层的形态不佳对半导体器件的电学性能造成的不利影响。

技术实现思路

[0004]为解决相关技术问题，本专利技术实施例提出的半导体结构的制造方法在深度较深的开口中沉积薄膜时，能够改善沉积的介质层的形态，从而减少因介质层的形态不佳对半导体器件的电学性能造成的不利影响。
[0005]本专利技术实施例提供了一种半导体结构的制造方法，包括：
>[0006]提供基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底结构；所述基底结构包含第一开口；在所述第一开口的侧壁形成第一厚度的第一介质层；所述第一介质层的厚度随着所述第一开口深度的增加而减小；对所述第一介质层进行离子注入，部分所述第一介质层形成掺杂层；对所述掺杂层进行刻蚀，去除部分所述掺杂层，得到第二厚度的第一介质层，所述第二厚度小于所述第一厚度；其中，在刻蚀的过程中，刻蚀源对所述掺杂层刻蚀的量随着所述第一开口深度的增加而减小。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂层的掺杂浓度随着所述第一开口深度的增加而降低；所述对所述掺杂层进行刻蚀，包括：对所述掺杂层进行湿法刻蚀，其中，在湿法刻蚀的过程中，刻蚀源对所述掺杂层的刻蚀速度随着所述掺杂层的掺杂浓度的降低而减小。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一介质层进行离子注入，包括：利用等离子体掺杂PLAD工艺，对所述第一厚度的第一介质层进行离子注入。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述离子注入过程中，使用的掺杂剂的材料包括惰性元素。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述离子注入过...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴亮，颜元，张豪，朱文琪，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：