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本发明实施例提供了一种半导体结构的制造方法。其中，所述方法包括：提供基底结构；所述基底结构包含第一开口；在所述第一开口的侧壁形成第一厚度的第一介质层；所述第一介质层的厚度随着所述第一开口深度的增加而减小；对所述第一介质层进行离子注入，部分所...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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