半导体结构及其制造方法技术

一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤：提供第一半导体晶圆，其中第一半导体晶圆包括第一介电层及嵌入第一介电层内的至少一第一顶部金属化结构，且第一介电层的顶面比第一顶部金属化结构高出第一距离；提供第二半导体晶圆，其中第二半导体晶圆包括第二介电层及嵌入第二介电层内的至少一第二顶部金属化结构，且第二顶部金属化结构的顶面比第二介电层的顶面高出第二距离；以及混合接合第一半导体晶圆及第二半导体晶圆。借此，第一顶部金属化结构与第二顶部金属化结构之间的接合可准确且紧密，并且在两者之间不会产生任何空隙，从而可很好地实现第一半导体晶圆与第二半导体晶圆之间的高接合强度。晶圆之间的高接合强度。晶圆之间的高接合强度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本揭露有关于一种半导体结构及一种半导体结构的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体装置用于各种电子应用，例如个人计算机、手机、数字相机和其他电子设备。通常通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻工艺对各种材料层进行图案化，以于其上方形成电路部件和元件来制造半导体装置。半导体产业通过不断减小最小特征尺寸以不断提高各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的积体密度，其允许于给定区域中集成更多部件。这些更小的电子部件也需要更小的封装，其比过去的封装占用更少的面积。
[0003]三维集成电路(3DIC)是半导体封装的最新发展，其中多个半导体晶粒彼此堆叠，例如层叠封装(package
‑
on
‑
package，POP)和系统级封装(system
‑
in
‑
package，SIP)封装技术。一些3DIC是通过在半导体晶圆级上在晶粒上放置晶粒来制备的。3DIC提供了更高的积体密度和其他优势，例如更快本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供第一半导体晶圆，其中该第一半导体晶圆包括第一介电层及嵌入该第一介电层内的至少一第一顶部金属化结构，且该第一介电层的顶面比该第一顶部金属化结构高出第一距离；提供第二半导体晶圆，其中该第二半导体晶圆包括第二介电层及嵌入该第二介电层内的至少一第二顶部金属化结构，且该第二顶部金属化结构的顶面比该第二介电层的顶面高出第二距离；以及混合接合该第一半导体晶圆及该第二半导体晶圆。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该第二距离小于该第一距离。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中该第一距离与该第二距离之间的差值至少部分地取决于该第一顶部金属化结构及该第二顶部金属化结构的传导热膨胀系数。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中，还包括：将该第一半导体晶圆垂直放置在该第二半导体晶圆上，使得该第一介电层在与该第二介电层接触的同时，在该第一顶部金属化结构及该第二顶部金属化结构之间留有间隙。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中该第一距离减去该第二距离等于该间隙的垂直长度。6.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中混合接合该第一半导体晶圆及该第二半导体晶圆包括：执行退火工艺，使得该第一顶部金属化结构及该第二顶部金属化结构经历热膨胀以填充该间隙。7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中提供该第一半导体晶圆包括：在该第一半导体晶圆内形成蚀刻停止层；以及在该蚀刻停止层上垂直形成该第一介电层及该第一顶部金属化结构。8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其中提供该第一半导体晶圆包括：形成垂直贯穿该第一介电层的至少一凹槽，使得该蚀刻停止层的一部分露出；以及以该第一顶部金属化结构填充该凹槽。9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中提供该第一半导体晶圆包括：使该第一顶部金属化结构凹陷至低于该第一介电...

【专利技术属性】
技术研发人员：康庭慈，丘世仰，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：