半导体装置的形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置的形成方法，在沟槽中形成金属插塞之前，可在沟槽的底部和侧壁上形成金属粘着层。可使用等离子体来改变金属粘着层的相组成，以增加金属粘着层与金属插塞之间的粘着力。特别来说，等离子体可导致金属粘着层的相组成发生变位或转变，使金属粘着层变为由主要相(111)组成。金属粘着层的主要相(111)增加了金属粘着层的粘着力。了金属粘着层的粘着力。了金属粘着层的粘着力。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法


[0001]本专利技术实施例是有关于半导体技术，且特别是有关于半导体装置的形成方法。

技术介绍

[0002]金属插塞可用做接触导通孔将半导体装置的各个部分(例如源极/漏极区或外延区、栅极区等)连接至后段(back end of the line，BEOL)金属化层。

技术实现思路

[0003]在一些实施例中，提供半导体装置的形成方法，此方法包含在半导体装置的沟槽的底部上方及沟槽的侧壁上方形成氮化钛层；使用等离子体改变氮化钛层的相组成；以及在改变氮化钛层的相组成之后，在沟槽中形成金属插塞。
[0004]在一些其他实施例中，提供半导体装置，半导体装置包含沟槽，形成于半导体基底中；外延区，位于沟槽下方；氮化钛层，位于沟槽的底部和侧壁上方，氮化钛层具有主要相(111)；以及金属插塞，位于沟槽中的氮化钛层上方。
[0005]在另外一些实施例中，提供半导体装置的形成方法，此方法包含在沟槽的底部上方及沟槽的侧壁上方形成金属粘着层的第一层；使用等离子体增加第一层的相(111)；在第一层上形成金属粘着层的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：在一半导体装置的一沟槽的底部上方及该沟槽的侧壁上方形成一氮化钛层；使用一...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴佩雯，蔡纯怡，洪奇成，许志成，王喻生，蔡明兴，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：