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一种半导体装置的形成方法，在沟槽中形成金属插塞之前，可在沟槽的底部和侧壁上形成金属粘着层。可使用等离子体来改变金属粘着层的相组成，以增加金属粘着层与金属插塞之间的粘着力。特别来说，等离子体可导致金属粘着层的相组成发生变位或转变，使金属粘着层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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