半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构及其形成方法包括：提供晶圆，所述晶圆具有正面和与所述正面相对的背面；图形化所述晶圆的背面，形成自所述背面向所述正面延伸的凹槽；在所述凹槽底部和侧壁形成介质层；在所述介质层上形成填充所述凹槽的导电层。本发明专利技术有利于降低半导体结构的封装高度以及减小晶圆受到的变形应力。度以及减小晶圆受到的变形应力。度以及减小晶圆受到的变形应力。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]目前，在芯片结构的3D封装上，常会利用晶圆的晶背区域来布局导电层。而为了降低导电层漏电以及导电层内的金属离子迁移等负面情况对晶圆背面区域的影响，当前工艺选择在晶背表面额外形成介质层等膜层，然后再在额外形成的膜层内或者在其远离晶背的一侧制备导电层，从而实现导电层和晶圆的隔离。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体结构及其形成方法，有利于减小半导体结构的整体厚度和整体封装高度，以及减小晶圆所承受的变形应力。
[0004]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆具有正面和与所述正面相对的背面；图形化所述晶圆的背面，形成自所述背面向所述正面延伸的凹槽；在所述凹槽底部和侧壁形成介质层；在所述介质层上形成填充所述凹槽的导电层。
[0005]另外，所述介质层与所述晶圆背面共面。
[0006]另外，形成所述介质层的工艺步骤，包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆具有正面和与所述正面相对的背面；图形化所述晶圆的背面，形成自所述背面向所述正面延伸的凹槽；在所述凹槽底部和侧壁形成介质层；在所述介质层上形成填充所述凹槽的导电层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层与所述晶圆背面共面。3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述介质层的工艺步骤，包括：形成填充满所述凹槽且覆盖所述晶圆背面的第一介质膜；进行平坦化工艺，去除覆盖所述晶圆背面的所述第一介质膜，形成第二介质膜；对所述第二介质膜进行刻蚀工艺，形成所述介质层。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行所述平坦化工艺之后，且在进行所述刻蚀工艺之前，还包括：在所述晶圆背面形成阻拦层，所述阻拦层用于阻拦金属离子迁移至所述晶圆内。5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层与所述导电层共面。6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述晶圆内具有自所述正面向所述背面延伸的导电插塞，所述导电插塞的底面位于所述晶圆内；所述形成凹槽，包括：形成暴露所述导电插塞至少部分表面的凹槽。7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在垂直于所述晶圆背面的方向上，所述晶圆内具有底面高度不同的多个所述导电插塞；所述形成凹槽，包括：形成暴露每一所述导电插塞至少部分表面的凹槽。8.根据权利要求6所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：