半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供晶圆，所述晶圆具有正面和背面，所述晶圆内具有导电插塞，所述导电插塞自所述正面向所述背面延伸，且所述导电插塞底面位于所述晶圆内；对所述晶圆背面进行刻蚀工艺，形成至少暴露所述导电插塞底面的凹槽；形成覆盖所述导电插塞底面的功能层。本发明专利技术有利于提高半导体结构的性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在3D芯片结构的研发过程中，为了强化芯片封装体的导热效果，通常会在晶圆内置入导热性能良好的元件，以传导并散发晶圆某一位置的热量，例如伪导电插塞。
[0003]在导电插塞的形成过程中，当用于填充导电材料和形成保护膜层的凹槽深宽比较大时，通过沉积工艺形成的覆盖凹槽底部和侧壁的膜层存在沉积不良的问题，进而导致性能缺陷。为解决这一性能缺陷，现有技术通常会对沉积不良的部分进行调整，然而现有技术存在一些问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，有利于提高半导体结构的性能。
[0005]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆具有正面和背面，所述晶圆内具有导电插塞，所述导电插塞自所述正面向所述背面延伸，且所述导电插塞底面位于所述晶圆内；对所述晶圆背面进行刻蚀工艺，形成至少暴露所述导电插塞底面的凹槽；形成覆盖所述导电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆具有正面和背面，所述晶圆内具有导电插塞，所述导电插塞自所述正面向所述背面延伸，且所述导电插塞底面位于所述晶圆内；对所述晶圆背面进行刻蚀工艺，形成至少暴露所述导电插塞底面的凹槽；形成覆盖所述导电插塞底面的功能层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在进行所述刻蚀工艺之前，还包括：对所述晶圆背面进行平坦化工艺。3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述晶圆内具有多个所述导电插塞，在垂直于所述晶圆背面的方向上，多个所述导电插塞的底面高度不同；所述凹槽暴露出任意所述导电插塞的底面。4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽还暴露出所述导电插塞的部分侧壁；在形成所述功能层的工艺步骤中，还在所述导电插塞的部分侧壁形成所述功能层。5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电插塞底面覆盖有保护层；在形成所述凹槽的工艺步骤中，所述刻蚀工艺还用于去除所述保护层。6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述功能层包括覆盖所述导电插塞底面的阻拦层和填充所述凹槽的介质层，所述阻拦层用于阻拦所述导电插塞中的金属离子迁移至所述介质层内。7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料包括二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的至少一者，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，张志伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：