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半导体结构及其形成方法技术
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文档序号:31994977
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本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法,半导体结构及其形成方法包括:提供晶圆,所述晶圆具有正面和与所述正面相对的背面;图形化所述晶圆的背面,形成自所述背面向所述正面延伸的凹槽;在所述凹槽底部和侧壁形成介质层;在所述介质层上形成填充所述凹...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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