集成芯片及用于形成沟槽电容器的方法技术

本公开的各个实施例针对具有用于良品率改进的沟槽图案的沟槽电容器。沟槽电容器位于衬底上并且包括多个电容器段。电容器段根据沟槽图案延伸到衬底中并且在轴线上以间距隔开。多个电容器段包括位于沟槽电容器的边缘处的边缘电容器段和位于沟槽电容器的中心处的中心电容器段。边缘电容器段的宽度大于中心电容器段的宽度和/或边缘电容器段处的间距大于中心电容器段处的间距。更大的宽度可以促进应力吸收，并且更大的间距可以增加沟槽电容器的热膨胀应力最大的边缘处的衬底刚度，从而减少衬底弯曲和沟槽耗竭以改进良品率。本申请的实施例提供了集成芯片及用于形成沟槽电容器的方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片及用于形成沟槽电容器的方法


[0001]本申请的实施例涉及集成芯片及用于形成沟槽电容器的方法。

技术介绍

[0002]集成无源器件(IPD)是集成在半导体衬底上的一个或多个无源器件的集合。无源器件可以包括例如电容器、电阻器、电感器等。IPD使用半导体制造工艺形成，并封装为集成电路(IC)。与分立无源器件相比，这获得了尺寸减小、成本降低以及功能密度提高。IPD可以应用于移动设备和应用处理器。

技术实现思路

[0003]本申请的实施例提供一种集成芯片，包括：衬底；和沟槽电容器，位于所述衬底上，并且包括延伸到所述衬底中的多个电容器段；其中，所述多个电容器段包括位于所述沟槽电容器的边缘处的边缘电容器段和位于所述沟槽电容器的中心处的中心电容器段，所述电容器段在轴线上以间距隔开，并且所述边缘电容器段的宽度大于所述中心电容器段的宽度和/或所述边缘电容器段处的间距大于所述中心电容器段处的间距。
[0004]本申请的实施例提供一种集成芯片，包括：衬底，包括第一衬底段和第二衬底段；和沟槽电容器，位于所述衬底上，并且包括中心电容器段、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，包括：衬底；和沟槽电容器，位于所述衬底上，并且包括延伸到所述衬底中的多个电容器段；其中，所述多个电容器段包括位于所述沟槽电容器的边缘处的边缘电容器段和位于所述沟槽电容器的中心处的中心电容器段，所述电容器段在轴线上以间距隔开，并且所述边缘电容器段的宽度大于所述中心电容器段的宽度和/或所述边缘电容器段处的间距大于所述中心电容器段处的间距。2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述边缘电容器段的宽度大于所述中心电容器段的宽度，并且所述边缘电容器段处的间距大于所述中心电容器段处的间距。3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述边缘电容器段的宽度大于所述中心电容器段的宽度，并且其中，从所述边缘电容器段到所述中心电容器段，所述间距是统一的。4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述边缘电容器段的宽度与所述中心电容器段的宽度相同，并且其中，所述边缘电容器段处的间距大于所述中心电容器段处的间距。5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述多个电容器段包括位于所述边缘电容器段和所述中心电容器段之间的中间电容器段，其中，所述边缘电容器段的宽度大于所述中间电容器段的宽度，并且其中，所述中间电容器段的宽度大于所述中心电容器段的宽度。6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述多个电容器段包括位于所述边缘电容器段和所述中心电容器段之间的中间电容器段，其中，所述边缘电容器段与所述中间电容器段之间的间距大于所述中间电容器段与所述中心电容器段之间的间距。7.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述电容器段具有线形的顶部布局...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄渊圣，陈怡臻，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：