互连结构及其制造方法技术

一种方法包括形成封装组件，包括：形成介电层；图案化介电层以形成开口；以及形成包括位于该开口中的通孔、导电焊盘和弯曲迹线的再分布线。通孔从导电焊盘竖直偏移。导电焊盘和弯曲迹线位于介电层上方。弯曲迹线将导电焊盘连接到通孔，并且弯曲迹线包括长度方向彼此不平行的多个区段。导电凸块形成在导电焊盘上。本申请的实施例提供了互连结构及其制造方法。本申请的实施例提供了互连结构及其制造方法。本申请的实施例提供了互连结构及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
互连结构及其制造方法


[0001]本申请的实施例涉及互连结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的进步，半导体芯片/管芯变得越来越小。同时，更多功能需要集成在半导体管芯内。可以将每个具有特定功能的多个器件管芯接合在一起以形成封装件。封装件形成得越来越大。另一方面，诸如中间件、封装衬底等中的封装件中的导电部件变得越来越小。这就要求认真处理制造工艺以减少缺陷。

技术实现思路

[0003]本申请的实施例提供一种方法，包括：形成第一封装组件，包括：形成第一介电层；图案化所述第一介电层以形成开口；形成第一再分布线，所述第一再分布线包括：第一通孔，位于所述开口中；第一导电焊盘，其中，所述第一通孔从所述第一导电焊盘竖直偏移；和第一弯曲迹线，其中，所述第一导电焊盘和所述第一弯曲迹线位于所述第一介电层上方，并且其中，所述第一弯曲迹线将所述第一导电焊盘连接到所述第一通孔，并且所述第一弯曲迹线包括长度方向彼此不平行的第一多个区段；以及在所述第一导电焊盘上形成第一导电凸块。
[0004]本申请的实施例提供一种结构，包括：介电层；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造互连结构的方法，包括：形成第一封装组件，包括：形成第一介电层；图案化所述第一介电层以形成开口；形成第一再分布线，所述第一再分布线包括：第一通孔，位于所述开口中；第一导电焊盘，其中，所述第一通孔从所述第一导电焊盘竖直偏移；和第一弯曲迹线，其中，所述第一导电焊盘和所述第一弯曲迹线位于所述第一介电层上方，并且其中，所述第一弯曲迹线将所述第一导电焊盘连接到所述第一通孔，并且所述第一弯曲迹线包括长度方向彼此不平行的第一多个区段；以及在所述第一导电焊盘上形成第一导电凸块。2.根据权利要求1所述的制造互连结构的方法，其中，使用同一种子层和分离的镀敷掩模形成所述第一再分布线和所述第一导电凸块。3.根据权利要求1所述的制造互连结构的方法，还包括形成第二再分布线，所述第二再分布线包括：第二通孔，延伸到所述第一介电层中；第二导电焊盘，其中，所述第二通孔从所述第二导电焊盘竖直偏移；第二弯曲迹线，将所述第二导电焊盘连接到所述第二通孔，其中，所述第二弯曲迹线包括第二多个区段，并且所述第一通孔和所述第二通孔两者均接触位于所述第一介电层下方的第三再分布线的顶面；以及在所述第二导电焊盘上形成第二导电凸块。4.根据权利要求1所述的制造互连结构的方法，还包括在所述第一导电焊盘上形成第二导电凸块，其中，所述第一导电凸块和所述第二导电凸块两者均具有与所述第一导电焊盘的顶面接触的底面。5.根据权利要求4所述的制造互连结构的方法，还包括：将所述第二封装组件接合到所述第一封装组件，其中所述第二封装组件的第一电连接件和第二电连接件分别接合到所述第一导电凸块和所述第二导电凸块。6.根据权利要求1所述的制造互连结构的方法，还包括形成位于所述第一通孔上方并与所述第一通孔物理接触的附加导电焊盘，其中，所述附加导电焊盘、所述第一弯曲迹线...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗彦，许佳桂，蔡尚纶，游明志，林柏尧，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：