垂直半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本申请涉及垂直半导体装置及其制造方法。一种用于制造半导体装置的方法包括：在具有互连件的下结构上方形成源极结构；形成第一接触插塞和第一牺牲焊盘，该第一接触插塞贯穿源极结构以联接至互连件，该第一牺牲焊盘贯穿源极结构并且与第一接触插塞间隔开；形成覆盖第一牺牲焊盘、第一接触插塞和源极结构的上结构；形成第二接触插塞，该第二接触插塞贯穿上结构并接触第一接触插塞；形成第二牺牲焊盘，该第二牺牲焊盘贯穿上结构以接触第一牺牲焊盘并且与第二接触插塞间隔开；以及用介电支撑件代替第一牺牲焊盘和第二牺牲焊盘。替第一牺牲焊盘和第二牺牲焊盘。替第一牺牲焊盘和第二牺牲焊盘。

【技术实现步骤摘要】
垂直半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术的示例性实施方式涉及半导体装置，并且更具体地，涉及垂直半导体装置。

技术介绍

[0002]诸如三维(3D)NAND之类的半导体装置包括在沟道的高度方向上布置的多个存储器单元，该沟道作为柱型沟道，在高度方向上延伸，覆盖有存储器层。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的实施方式，一种用于制造半导体装置的方法包括：在具有互连件的下结构上方形成源极结构；形成第一接触插塞和第一牺牲焊盘，该第一接触插塞贯穿源极结构以联接至互连件，该第一牺牲焊盘贯穿源极结构并且与第一接触插塞间隔开；形成覆盖第一牺牲焊盘、第一接触插塞和源极结构的上结构；形成第二接触插塞，该第二接触插塞贯穿上结构并接触第一接触插塞；形成第二牺牲焊盘，该第二牺牲焊盘贯穿上结构以接触第一牺牲焊盘并且与第二接触插塞间隔开；以及用介电支撑件代替第一牺牲焊盘和第二牺牲焊盘。
[0004]根据本专利技术的另一实施方式，一种用于制造半导体装置的方法包括：在包括互连件的下结构上方形成源极结构；形成第一接触插塞，该第一接触插塞贯穿源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：在具有互连件的下结构上方形成源极结构；形成第一接触插塞和第一牺牲焊盘，该第一接触插塞贯穿所述源极结构以联接至所述互连件，该第一牺牲焊盘贯穿所述源极结构并且与所述第一接触插塞间隔开；形成覆盖所述第一牺牲焊盘、所述第一接触插塞和所述源极结构的上结构；形成贯穿所述上结构并与所述第一接触插塞接触的第二接触插塞；形成第二牺牲焊盘，该第二牺牲焊盘贯穿所述上结构以与所述第一牺牲焊盘接触并且与所述第二接触插塞间隔开；以及用介电支撑件代替所述第一牺牲焊盘和所述第二牺牲焊盘。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一牺牲焊盘的宽度大于所述第二牺牲焊盘的宽度。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一牺牲焊盘和所述第二牺牲焊盘包括相对于所述上结构具有蚀刻选择性的材料。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述上结构包括氧化硅和氮化硅的交替层叠物，并且其中，所述第一牺牲焊盘包括相对于所述氧化硅和所述氮化硅具有蚀刻选择性的材料。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一接触插塞和所述第一牺牲焊盘包括钨。6.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成接触孔，该接触孔贯穿所述源极结构以暴露出所述互连件的上表面；以及形成牺牲开口，该牺牲开口贯穿所述源极结构以暴露出所述下结构，其中，所述第一接触插塞填充所述接触孔，并且所述第一牺牲焊盘填充所述牺牲开口。7.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成暴露出所述互连件的上表面的接触孔；以及对所述源极结构进行蚀刻，以形成彼此间隔开的线型开口和孔型开口，其中，所述第一接触插塞填充所述接触孔，并且其中，所述第一牺牲焊盘包括填充所述线型开口的线型牺牲焊盘和填充所述孔型开口的柱型牺牲焊盘。8.一种用于制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：在包括互连件的下结构上方形成具有牺牲源极层的源极结构；形成贯穿所述源极结构以联接到所述互连件的第一接触插塞；形成贯穿所述源极结构并与所述第一接触插塞间隔开的第一线型牺牲焊盘；在所述第一线型牺牲焊盘、所述第一接触插塞和所述源极结构上方形成介电层和牺牲层的交替层叠物；形成贯穿所述交替层叠物并与所述第一接触插塞接触的第二接触插塞；形成第二线型牺牲焊盘，该第二线型牺牲焊盘与所述第二接触插塞间隔开以贯穿所述交替层叠物并与所述第一线型牺牲焊盘接触；用线型支撑件代替所述第一线型牺牲焊盘和所述第二线型牺牲焊盘；形成贯穿所述交替层叠物和所述源极结构的所述牺牲源极层的多个沟道结构，所述多
个沟道结构被形成为与所述线型支撑件间隔开；以及用栅极代替所述交替层叠物的所述牺牲层。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述交替层叠物包括单元阵列区域和接触区域，其中，所述多个沟道结构中的沟道结构贯穿所述单元阵列区域，并且所述线型支撑件贯穿所述接触区域，并且其中，所述接触区域还包括从所述交替层叠物的所述单元阵列区域延伸的阶梯状结构。10.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成贯穿所述阶梯状结构的多个柱型支撑件。11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述线型支撑件包括介电材料。12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一线型牺牲焊盘和所述第二线型牺牲焊盘包括相对于所述介电层和所述牺牲层具有蚀刻选择性的材料。13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一线型牺牲焊盘和所述第二线型牺牲焊盘包括钨。14.根据权利要求8所述的方法，该方法还包括以下步骤：在形成所述沟道结构之后：通过蚀刻所述交替层叠物，形成暴露出所述牺牲源极层的狭缝；通过所述狭缝选择性地去除所述牺牲源极层，以形成在所述源极结构中横向延伸的源极水平凹陷部；以及用源极水平接触层代替所述牺牲源极层。15.一种用于制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：在具有互连件的下结构上方形成源极结构；在所述源极结构上方形成多个介电层和多个牺牲层的交替层叠物；形成线型支撑件，该线型支撑件将所述交替层叠物划分成第一交替层叠物和第二交替层叠物；以及用栅极代替所述第一交替层叠物的牺牲层，其中，在用所述栅极代替所述第一交替层叠物的所述牺牲层时，不代替所述第二交替层叠物的牺牲层。16.根据权利要求15所述的方法，该方法还包括以下步骤：随着形...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢侑炫，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：