一种半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提出了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括基础结构；基础结构的位于栅极(200)附近的位置上蚀刻形成有与外延层(100)相接的蚀刻孔(700)；蚀刻孔(700)内壁的靠近开口的部分上沉积形成有ALD层(910)；蚀刻孔(700)中填充形成有金属接触件(800)。本发明专利技术的半导体器件及其制造方法设计新颖，实用性强。强。强。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体器件通常通过以下步骤来制造：在半导体衬底上方相继沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层；以及使用光刻来图案化该多个材料层，以在其上形成电路组件和元件。
[0003]图1示出了一种现有半导体器件的制造方法的第一步骤状态示意图；图2示出了图1所示的制造方法的第二步骤状态示意图；图3示出了图1所示的制造方法的第三步骤状态示意图；该半导体器件的制造方法包括：步骤S1、提供基础结构，该基础结构包括衬底(图中未示出)以及形成于该衬底上的外延层100，该外延层100上设置有栅极200，栅极200侧壁上形成有阻挡层210，基础结构还包括覆盖在外延层100上并分别与栅极200、阻挡层210齐高的第一介电层300，覆盖形成于栅极200、第一介电层300以及阻挡层210上的掩蔽层400以及覆盖形成于掩蔽层400上的第二介电层500；步骤S2、在第二介电层500上涂布光刻胶600，如图1所示；步骤S3、利用光刻胶600通过光刻工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供基础结构，该基础结构包括衬底以及形成于该衬底上的外延层(100)，该外延层(100)上设置有栅极(200)，栅极(200)侧壁上形成有阻挡层(210)；基础结构还包括覆盖在外延层(100)上并分别与栅极(200)、阻挡层(210)齐高的第一介电层(300)，覆盖形成于栅极(200)、第一介电层(300)以及阻挡层(210)上的掩蔽层(400)以及覆盖形成于掩蔽层(400)上的第二介电层(500)；步骤S2、在第二介电层(500)上涂布光刻胶(600)；步骤S3、利用光刻胶(600)通过光刻工艺，在基础结构的位于栅极(200)附近的位置上蚀刻形成与外延层(100)相接的蚀刻孔(700)，然后去掉光刻胶(600)；步骤S4、采用旋转涂布材料填充蚀刻孔(700)，从而在蚀刻孔(700)中形成填充体(710)；步骤S5、对填充体(710)进行蚀刻；并保留填充体(710)的位于蚀刻孔(700)底部的一部分，以此作为支撑体(720)；步骤S6、通过ALD技术，在第二介电层(500)顶面、支撑体(720)顶面以及蚀刻孔(700)的位于支撑体(720)上方的内壁上沉积形成ALD层(910)；步骤S7、通过蚀刻技术，将ALD层(910)的覆盖在第二介电层(500)顶面、支撑体(720)顶面上的部分蚀刻掉，同时剥除支撑体(720)；步骤S8、在蚀刻孔(700)中填充形成金属接触件(800)。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，支撑体(720)顶面的高度低于栅极(200)顶面的高度。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：林盈志，张峰溢，
申请(专利权)人：广东汉岂工业技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：