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本发明提出了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括基础结构；基础结构的位于栅极(200)附近的位置上蚀刻形成有与外延层(100)相接的蚀刻孔(700)；蚀刻孔(700)内壁的靠近开口的部分上沉积形成有ALD层(910)；蚀刻孔(70...该专利属于广东汉岂工业技术研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东汉岂工业技术研发有限公司授权不得商用。
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本发明提出了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括基础结构；基础结构的位于栅极(200)附近的位置上蚀刻形成有与外延层(100)相接的蚀刻孔(700)；蚀刻孔(700)内壁的靠近开口的部分上沉积形成有ALD层(910)；蚀刻孔(70...