半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一区域和环绕第一区域的第二区域，第一区域的基底中具有导通孔；在导通孔的底面和侧壁，以及基底的顶面形成第一金属层；形成第一金属层后，形成覆盖第二区域且露出第一区域的刻蚀停止层；在刻蚀停止层之间的第一金属层上形成第二金属层；去除刻蚀停止层和位于刻蚀停止层之间的第二金属层。本发明专利技术实施例中，刻蚀停止层能够保护基底上的第一金属层不易受损伤，且在去除刻蚀停止层之间的第二金属层的同时，使得第一金属层之间的第二金属层不易被刻蚀，也就是说刻蚀停止层能够精确控制第一金属层和第二金属层的厚度。精确控制第一金属层和第二金属层的厚度。精确控制第一金属层和第二金属层的厚度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制造技术越来越精密，集成电路也发生着重大的变革，集成在同一芯片上的元器件数量已从最初的几十、几百个增加到现在的数以百万个。为了达到电路密度的要求，半导体集成电路芯片的制作工艺利用批量处理技术，在衬底上形成各种类型的复杂器件，并将其互相连接以实现完整的电子功能，目前大多采用在导线之间以超低k层间介电层作为隔离各金属内连线的介电材料，互连结构用于提供在IC芯片上的器件和整个封装之间的布线。在该技术中，在半导体衬底表面首先形成例如场效应晶体管(FET)的器件，然后在集成电路制造后段制程(Back End of Line，BEOL)中形成互连结构。
[0003]随着半导体衬底尺寸的不断缩小，以及为了提高器件的性能，在半导体衬底上形成了更多的晶体管，采用互连结构来连接晶体管是必然的选择。然而相对于元器件的微型化和集成度的增加，电路中导体连线数目不断的增多，互连结构的形成质量对后端(Back End Of L本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和环绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域的所述基底中具有导通孔；在所述导通孔的底面和侧壁，以及所述基底的顶面形成第一金属层；形成所述第一金属层后，形成覆盖所述第二区域且露出所述第一区域的刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层之间的所述第一金属层上形成第二金属层；去除所述刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层之间且高于所述第一金属层的所述第二金属层。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：去除所述刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层之间且高于所述第一金属层的所述第二金属层后，对所述第一金属层和第二金属层进行平坦化处理。3.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料包括无定形硅、氮化硅、硅酸乙酯、氮氧化硅、氮碳化硅和氧化硅中的一种或多种。4.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀停止层的步骤中，所述刻蚀停止层的厚度为10纳米至12纳米。5.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述刻蚀停止层的步骤包括：形成覆盖所述导通孔和基底的刻蚀停止材料层；形成所述刻蚀停止材料层后，形成覆盖所述第二区域且露出所述第一区域的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述刻蚀停止材料层，剩余的所述刻蚀停止材料层作为所述刻蚀停止层；所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述刻蚀停止层后，去除所述掩膜层。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述掩膜层为掩膜采用干法刻蚀工艺刻蚀所述刻蚀停止材料层，形成所述刻蚀停止层。7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述刻蚀停止材料层。8.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一金属层的步骤中，所述第一金属层的厚度为8纳米至12纳米。9.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或电镀工艺形成所述第一金属层。10.如权利要求1或2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述刻蚀停止层和位于所述刻蚀停止层之间且高于所述第一金属层的第二金属层的过程中，所述刻蚀停止层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德涛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：