半导体装置的保护方法制造方法及图纸

本公开涉及一种半导体装置的保护方法。氟化铵气体可用于在预清洁蚀刻制程期间形成用于半导体装置的一或多个层间介电层、一或多个绝缘盖、及/或一或多个源极/漏极区的保护层。可在预清洁蚀刻制程期间通过过量供应三氟化氮来形成保护层。三氟化氮的过量供应导致氟化铵的形成增加，上述氟化铵具有厚的保护层覆盖(多个)层间介电层、(多个)绝缘盖、及/或(多个)源极/漏极区。保护层在预清洁制程期间保护(多个)层间介电层、(多个)绝缘盖、及/或(多个)源极/漏极区不被在预清洁制程期间形成的氟离子所蚀刻。所蚀刻。所蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的保护方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种半导体装置的保护方法，特别是涉及一种半导体装置的氟化铵预清洁保护方法。

技术介绍

[0002]随着用于晶体管的制程节点的缩小，以及随着晶体管密度的增加，晶体管的栅极与源极接触件及漏极接触件之间的可用间隔(spacing)减小及/或被完全消除。通过自对准接触件(self
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aligned contact,SAC)制程将用于晶体管的源极/漏极区的接触件至少部分地形成于晶体管的金属栅极(metal gate,MG)上方。绝缘盖形成于MG上方，以将MG与接触件(接触件可称作金属漏极或工作区金属(metal on operation domain,MD))电性隔离。以这种方式，SAC制程可用于允许进一步减小制程节点尺寸，以允许增加半导体装置的晶体管密度等。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体装置的保护方法，包括：由氟化铵气体形成保护层于绝缘盖上方，绝缘盖形成于半导体装置的金属栅极上；及进行预清洁制程，以移除位于半导体装置的源极或漏极区上的氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的保护方法，包括：由氟化铵气体形成一保护层于一绝缘盖上方，该绝缘盖形成于一半导体装置的一金属栅极上；及进行一预...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱立伟，苏颖奇，陈昱恺，卢炜业，陈泓旭，张志维，蔡明兴，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：