一种晶圆背面金属化前清洗的方法技术

本发明专利技术属于半导体制作技术领域，具体涉及一种晶圆背面金属化前清洗的方法；本发明专利技术明确制定HF与纯水混合比例有效管控化学液使用量；制定工艺标准流程,有效提升生产管理；制定机台设备操作规范,降低人员操作错误造成人员受伤；设备损坏；产品异常的情况出现；本方案可控管化学液配置时机和成本,优化晶圆生产品质。管化学液配置时机和成本,优化晶圆生产品质。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆背面金属化前清洗的方法


[0001]本专利技术属于半导体制作
，具体的讲涉及一种晶圆背面金属化前清洗的方法。

技术介绍

[0002]现今半导体技术与日俱进，而未来的集成电路趋势是藉由将晶圆研磨薄化以达成后续封装制程能将数个薄化芯片堆叠封装包覆，且晶圆薄化更可让芯片实现低功率与低导通阻抗之优点，不仅有效延长产品寿命，更有效提升使用上的效率。
[0003]晶背金属化制程(Back Side Metal)是为改善高功率IC散热问题而开发的封装技术。BSM运用电子束蒸镀或金属溅镀制程，在晶圆背面镀一层可做为接合用的金属与基材(散热片/Lead frame)，以达到较佳的散热及导电效果。

技术实现思路

[0004]为解决现有技术存在的问题，本专利技术提供一种晶圆背面金属化前清洗的方法，在晶圆背面金属化(蒸镀制程)前晶圆研磨薄化后会到化学槽做清洗作业,本方法可控管化学液配置时机和成本,优化晶圆生产品质。
[0005]本专利技术的技术方案是这样实现的：
[0006]一种晶圆背面金属化前清洗的方法，包括如下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆背面金属化前清洗的方法，其特征在于，包括如下步骤：A、化学液配置，设置三个化学槽，分别是CS01、CS02Left、CS02Right，分别按照如下条件配置化学液，,CS01:HF400
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450ml，DIW：20000
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22500ml；CS02Left:HF850
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900ml，DIW：42500
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45000ml；CS02Right:HF850
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900ml，DIW：42500
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45000ml；HF与diw比例在1:50
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1:45之间；B、晶圆背面金属化前清洗，包括以下步骤：B1、8英寸晶圆芯片使用相对应的25格铁氟龙晶舟将芯片隔片摆满12片，V
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notch朝左/右；6英寸晶圆使用相对应之25格铁氟龙晶舟将芯片摆满24片，平边朝上；4与5英寸晶圆芯片使用相对应之25格铁氟龙晶舟将芯片隔片摆满12片；B2、4至8英寸晶圆芯片无论产品有无满批，皆要在晶舟最靠近H
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bar的产品片后方放置档片，贴胶面一律朝U
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bar，芯片背面朝操作者方向，将晶舟提把握紧后，再将晶舟整体采直上直下式轻缓地置入HF槽；B3、芯片按上述摆放完成后,将晶舟以直上直下轻缓置入HF槽中20秒
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25秒；B4、QDR清洗制程水洗14分钟,须确认水阻值至少达到7～10MΩ以上，若未达标准则须重复QDR清洗作业至达标准；B5、进行干燥动作,晶圆自QDR取出后置入干燥机，进行干燥流程,6英寸晶圆芯片9mil以上产品可选择置入旋干机旋干,操作者将芯片取出以氮气枪吹出芯片上之残留水渍后进行检查；B6、清洗后检查项目及异常通报,检查芯片正面胶带是否剥离、渗酸或裂痕；背面是否有水流痕、裂痕、缺角等异常；若有此情形发生，则须及时处理；B7、自DHF开始至烤箱干燥...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶顺闵，林伯璋，蔡孟霖，萧维彬，
申请(专利权)人：滁州钰顺企业管理咨询合伙企业有限合伙，
类型：发明
国别省市：