一种晶圆蒸镀异常的处理方法技术

本发明专利技术属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆蒸镀异常的处理方法，包括如下步骤：S1、晶圆蒸镀；S2、检测发现晶圆蒸镀异常；S3、晶圆背金处理；S4、测量晶圆厚度是否符合要求；S5、晶圆补磨；S6、晶圆抛光；S7、标准制程1和2；S8、去水分烘烤；S9、重新晶圆蒸镀，本发明专利技术制定了重工流程规范，当检测发现晶圆蒸镀异常时，使异常晶圆能正确的重新做晶圆背面补磨减薄和晶圆背面蒸镀，减少了晶圆异常报废处理的频次，降低了生产线的生产报废率，提高了生产线的生产良率。的生产良率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆蒸镀异常的处理方法


[0001]本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种晶圆蒸镀异常的处理方法。

技术介绍

[0002]现今半导体技术与日俱进，而未来的集成电路趋势是藉由将晶圆研磨薄化以达成后续封装制程能将数个薄化芯片堆栈封装包覆，且晶圆薄化更可让芯片实现低功率与低导通阻抗之优点，不仅有效延长产品寿命，更有效提升使用上的效率。
[0003]晶背金属化制程(Back Side Metal)是为改善高功率IC散热问题而开发的封装技术。BSM运用电子束蒸镀或金属溅镀制程，在晶圆背面镀一层可做为接合用的金属与基材(散热片/Lead frame)，以达到较佳的散热及导电效果。
[0004]然而，以上现有技术中，晶圆蒸镀异常时处理不当，会导致产品报废，降低产品生产良率。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中存在的上述不足之处，本专利技术提供了一种晶圆蒸镀异常的处理方法，用以解决现有晶圆蒸镀异常时处理不当，会导致产品报废，降低产品生产良率的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术采用了如下技术方案：
[0007]一种晶圆蒸镀异常的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
[0008]S1、晶圆蒸镀；
[0009]S2、检测发现晶圆蒸镀异常；
[0010]S3、晶圆背金处理；
[0011]S4、测量晶圆厚度是否符合要求；
[0012]S5、晶圆补磨；
[0013]S6、晶圆抛光；
[0014]S7、标准制程1和2；
[0015]S8、去水分烘烤；
[0016]S9、重新晶圆蒸镀。
[0017]进一步，所述步骤S4，若晶圆厚度符合要求，则直接进入步骤S6并进行后续步骤；若晶圆厚度不符合要求，则需经步骤S5后再进行后续步骤。
[0018]进一步，所述步骤S2中晶圆蒸镀异常的判定制程条件为：(1)腔体温度低于95℃；(2)真空镀低于5E
‑
6tor，若满足两条件之一，则判定蒸镀异常。
[0019]进一步，所述步骤S3采用酸槽进行处理，所述酸槽包括重工酸槽和DHF槽，所述重工酸槽用于去除Ag&Sn金属层，所述DHF槽用于去除负责去除Ni&Ti金属层，所述重工酸槽和DHF槽浸泡处理后均需进行QDR水洗。
[0020]进一步，所述步骤S5采用多级研磨轮进行研磨。
[0021]进一步，所述步骤S7中，标准制程1为HF Dip，标准制程2为解UV撕胶。
[0022]进一步，所述酸槽进行处理时需根据所述晶圆蒸镀后的膜厚确定所述酸槽的浸泡时间和QDR水洗的时间。
[0023]本专利技术与现有技术相比，具有如下有益效果：
[0024]制定了重工流程规范，当检测发现晶圆蒸镀异常时，使异常晶圆能正确的重新做晶圆背面补磨减薄和晶圆背面蒸镀，减少了晶圆异常报废处理的频次，降低了生产线的生产报废率，提高了生产线的生产良率。
附图说明
[0025]图1为本专利技术一种晶圆蒸镀异常的处理方法实施例的流程图；
[0026]图2为本专利技术一种晶圆蒸镀异常的处理方法实施例中的晶圆背金处理流程图；
[0027]图3为本专利技术一种晶圆蒸镀异常的处理方法实施例中的酸槽参数表；
[0028]图4为本专利技术一种晶圆蒸镀异常的处理方法实施例中的酸槽酸液配比表。
具体实施方式
[0029]为了使本领域的技术人员可以更好地理解本专利技术，下面结合附图和实施例对本专利技术技术方案进一步说明。
[0030]其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本专利技术的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
[0031]实施例：
[0032]如图1
‑
图4所示，本专利技术的一种晶圆蒸镀异常的处理方法，包括如下步骤：
[0033]S1、晶圆蒸镀；
[0034]S2、检测发现晶圆蒸镀异常，晶圆蒸镀异常的判定制程条件为：(1)腔体温度低于95℃；(2)真空镀低于5E
‑
6tor，若满足两条件之一，则判定蒸镀异常；
[0035]S3、晶圆背金处理，采用酸槽进行处理，酸槽包括重工酸槽和DHF槽，先重工酸槽浸泡，后DHF槽浸泡，重工酸槽用于去除Ag&Sn金属层，DHF槽用于去除负责去除Ni&Ti金属层，晶圆从DHF槽拉出时，晶背应呈斥水性，此时晶背之Ti与Ni已完全去除；反之则代表金属未被完全蚀刻干净，重工酸槽和DHF槽浸泡处理后均需进行QDR水洗，酸槽进行处理时需根据晶圆蒸镀后的膜厚确定酸槽的浸泡时间和QDR水洗的时间；
[0036]S4、测量晶圆厚度是否符合要求，若晶圆厚度符合要求，则直接进入步骤S6并进行后续步骤；若晶圆厚度不符合要求，则需经步骤S5后再进行后续步骤；
[0037]S5、晶圆补磨，需保证晶圆的晶背金属已去除干净，采用多级研磨轮进行研磨，若重工晶圆量测厚度与途程单所订最终厚度差异≦2mil(50μm)以下，则重工晶圆直接以Z2细磨轮进行研磨至最终厚度，若重工晶圆量测厚度与所订最终厚度差异大于2mil(50μm)以上时，则Z2细磨轮移除量设定一律定为1mil(25μm)，其余所需研磨移除量则需以Z1粗磨轮做移除，不可直接以Z2细磨轮作研磨移除；
[0038]S6、晶圆抛光；
[0039]S7、标准制程1和2，标准制程1为HF Dip，标准制程2为解UV撕胶；
[0040]S8、去水分烘烤；
[0041]S9、重新晶圆蒸镀。
[0042]进一步，进行步骤S3和步骤S5时均需贴UV胶带，其胶带黏性大于10N/20mm。
[0043]以上的仅是本专利技术的实施例，方案中公知的具体结构及特性等常识在此未作过多描述，所属领域普通技术人员知晓申请日或者优先权日之前专利技术所属
所有的普通技术知识，能够获知该领域中所有的现有技术，并且具有应用该日期之前常规实验手段的能力，所属领域普通技术人员可以在本申请给出的启示下，结合自身能力完善并实施本方案，一些典型的公知结构或者公知方法不应当成为所属领域普通技术人员实施本申请的障碍。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本专利技术结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本专利技术的保护范围，这些都不会影响本专利技术实施的效果和专利的实用性。
[0044]本专利技术实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本专利技术的描述中，需要理解的是，若出现术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆蒸镀异常的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、晶圆蒸镀；S2、检测发现晶圆蒸镀异常；S3、晶圆背金处理；S4、测量晶圆厚度是否符合要求；S5、晶圆补磨；S6、晶圆抛光；S7、标准制程1和2；S8、去水分烘烤；S9、重新晶圆蒸镀。2.如权利要求1所述的一种晶圆蒸镀异常的处理方法，其特征在于：所述步骤S4，若晶圆厚度符合要求，则直接进入步骤S6并进行后续步骤；若晶圆厚度不符合要求，则需经步骤S5后再进行后续步骤。3.如权利要求1所述的一种晶圆蒸镀异常的处理方法，其特征在于，所述步骤S2中晶圆蒸镀异常的判定制程条件为：(1)腔体温度低于95℃；(2)真空镀低于5E
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6 tor，若满足两条件之一，则判定蒸镀异常。4.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶顺闵，林伯璋，蔡孟霖，许邦泓，萧维彬，
申请(专利权)人：滁州钰顺企业管理咨询合伙企业有限合伙，
类型：发明
国别省市：