本发明公开了一种应用有新型氮化铝铟势垒层的高电子迁移率晶体管，属于高电子迁移率晶体管领域。一种应用有新型氮化铝铟势垒层的高电子迁移率晶体管，通过研究ALGaN/GAN异质结处的电子分布以双ALGaN/GAN器件特性；优化了ALGaN/G...

本发明公开了一种提升晶圆边缘器件良率的方法，属于晶圆边缘器件领域。一种提升晶圆边缘器件良率的方法，以合成树脂配制光刻胶，从成膜树脂、光引发剂和交联单体三个方面出发，研究了各个因素对光刻胶感光性的影响。结果表明改性树脂配制的光刻胶的反差值...

本实用新型公开了一种氮化镓功率器件存放装置，包括装置外壳，装置外壳的上方通过连接轴转动连接有装置外盖，装置外壳右侧固定连接有空气泵、可充电电源，可充电电源内部电性连接有电源开关，装置外壳的前方固定连接有提手，装置外壳的右侧分别固定连接有...

本发明公开了一种提高氮化镓器件电子迁移率及外延层质量方法，属于氮化镓器件领域。一种提高氮化镓器件电子迁移率及外延层质量方法，其操作步骤如下:S1、先于Si基板上成长AlN缓冲层；S2、在AlN缓冲层成长完毕后，在其上方成长第一对超晶格结...

本发明公开了一种氮化镓器件平坦化制程工艺，属于氮化镓器件领域。一种氮化镓器件平坦化制程工艺，其工艺步骤如下：S1、在主动和欧姆接触区上依次沉积第一介电层、第二介电层和第三介电层，所述第一介电层和第二介电层分别采用不同的绝缘材料。它可以实...

本实用新型公开了一种磷化铟单晶炉磷泡升降装置，包括支撑柱、磷泡杆与磷泡，所述支撑柱顶部连接支撑座，所述支撑座顶部设有升降电机，所述升降电机底部连接升降杆，所述支撑座底部两侧连接有滑板，所述升降杆底部连接第一支撑板，所述第一支撑板两端通过...

本发明公开了一种有效提升高频性能的氮化镓器件制作流程，属于氮化镓制作领域。一种有效提升高频性能的氮化镓器件制作流程，包括如下步骤：A、按照传统的制程在镓化物基板上沉积第一道介电层、源极、闸极和汲极，接着沉积第二道介电层，然后在闸极处的第...