【技术实现步骤摘要】
一种提升晶圆边缘器件良率的方法
本专利技术涉及晶圆边缘器件领域,尤其涉及一种提升晶圆边缘器件良率的方法。
技术介绍
通常在晶圆边缘产出的晶粒有低的良率且无法被销售。如果能提升晶圆边缘5mm范围的低量率,在6寸-8寸的晶圆上,将会多获得10%-13%的好晶粒,从而降低成本,增加获利,边缘缺陷率已成为器件制造的重要问题,它们通常与硅损伤有很大的区别,其中光刻胶就是引起边缘缺陷的一大问题。现有的一种提升晶圆边缘器件良率的方法,曝光率较差,且造成硅损伤问题较严重。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有的曝光率较差,且造成硅损伤问题较严重的问题,而提出的一种提升晶圆边缘器件良率的方法。为了实现上述目的,本专利技术采用了如下技术方案:一种提升晶圆边缘器件良率的方法,包括以下步骤:;S1、按比例称取丁酮、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲醋和丙烯酸丁醋混合单体,依次将上述物料加入搅拌反应釜中,并搅拌均匀;S2、将S1中搅拌均匀的混合物加热到70-90℃,之后向搅拌反应釜中加入引发剂 ...
【技术保护点】
1.一种提升晶圆边缘器件良率的方法,其特征在于,包括以下步骤:;/nS1、按比例称取丁酮、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲醋和丙烯酸丁醋混合单体,依次将上述物料加入搅拌反应釜中,并搅拌均匀;/nS2、将S1中搅拌均匀的混合物加热到70-90℃,之后向搅拌反应釜中加入引发剂开始进行反应,反应保持回流0.5h;/nS3、回流反应完毕之后,在2h内将丙烯酸丁醋单体、溶剂和引发剂的混合液加入到搅拌反应釜中,保持温度恒定,同时保持回流;/nS4、将引发剂和溶剂的混合溶液加入到反应器中,保持回流,保温反应2.5h;/nS5、保持温度反应6h,使反应转化完全后降温出料,制备成成膜树脂;/nS6、 ...
【技术特征摘要】
1.一种提升晶圆边缘器件良率的方法,其特征在于,包括以下步骤:;
S1、按比例称取丁酮、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲醋和丙烯酸丁醋混合单体,依次将上述物料加入搅拌反应釜中,并搅拌均匀;
S2、将S1中搅拌均匀的混合物加热到70-90℃,之后向搅拌反应釜中加入引发剂开始进行反应,反应保持回流0.5h;
S3、回流反应完毕之后,在2h内将丙烯酸丁醋单体、溶剂和引发剂的混合液加入到搅拌反应釜中,保持温度恒定,同时保持回流;
S4、将引发剂和溶剂的混合溶液加入到反应器中,保持回流,保温反应2.5h;
S5、保持温度反应6h,使反应转化完全后降温出料,制备成成膜树脂;
S6、将制备的成膜树脂加入搅拌反应釜中,之后向其中加入双丙酮丙烯酞胺作为改性剂,进行聚合反应,制备成双胺改性成膜树脂;
S7、称取双胺改性成膜树脂、光引发剂和交联单体及其它添加剂,放入搅拌反应釜中,在25℃下搅拌均匀,使各组分充分溶解,然后经过三次过滤后制备成双丙酮丙烯酞胺改性甲基丙烯酸类光刻胶;
S8、将制备的双丙酮丙烯酞胺改性甲基丙烯酸类光刻胶在基片表面涂覆一层光刻胶膜,使胶膜厚度适当,厚薄均匀,粘附良好;
S9、在80℃的恒温干燥箱中烘烤10-1...
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