解决FinFET工艺中无定型硅团聚的方法技术

本发明专利技术公开了一种解决FinFET工艺中无定型硅团聚的方法，包括以下步骤：步骤S1，提供一硅衬底，在硅衬底表面形成界面层；步骤S2，沉积高介电常数介质层；步骤S3，进行PDA工艺；步骤S4，淀积氮化钛保护层；步骤S5，沉积一层无定型硅作为盖帽层；步骤S6，进行后盖帽层退火工艺；将硅片放入腔室之后,在工艺的升温过程中通入10sccm

【技术实现步骤摘要】
解决FinFET工艺中无定型硅团聚的方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体集成电路的制造方法，特别是涉及一种解决FinFET工艺中无定型硅团聚的方法。

技术介绍

[0002]在14nm FinFET工艺流程中，随着器件尺寸不断缩小，必须使用高K介质层取代标准的二氧化硅或氮化硅作为栅极介质材料，通过使用高K介质层，可以增加栅介质的厚度防止栅极电流隧穿和电介质击穿。同时当栅极缩小时，可以帮助维持足够大的栅极电容。栅极电容必须足够大才能维持足够多的电荷形成栅极电介质下的载流子反转，这样才能形成由少数载流子形成的沟道开启MOS晶体管。
[0003]而在14nm FinFET工艺流程的HKMG(高K金属栅)工艺中,由于要改善Core区器件可靠性(偏压温度不稳定性
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Bias Temperature Instability，BTI、热载流子注入效应
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Hot Carrier Injection，HCI、经时介质击穿
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Time Dependent Dielectric breakdown,T本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种解决FinFET工艺中无定型硅团聚的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，提供一硅衬底，在硅衬底表面形成界面层；步骤S2，沉积高介电常数介质层；步骤S3，进行PDA工艺；步骤S4，淀积氮化钛保护层；步骤S5，沉积一层无定型硅层作为盖帽层；步骤S6，进行后盖帽层退火工艺；将硅片放入腔室之后,在工艺的升温过程中通入10sccm
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30sccm氧气，当温度升到450℃，停止通入氧气。2.如权利要求1所述的解决FinFET工艺中无定型硅团聚的方法，其特征在于，还包括，步骤S7，去除无定型硅层。3.如权利要求1所述的解决FinFET工艺中无定型硅团聚的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，采用湿法臭氧携带方式或原子氧热氧化的方式形成所述界面层。4.如权利要求1所述的解决FinFET工艺中无定型硅团聚的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，采用原子层沉积法沉积所述高介电常数介质层，所述高介电常数介质层材...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚周，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：