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本发明公开了一种解决FinFET工艺中无定型硅团聚的方法，包括以下步骤：步骤S1，提供一硅衬底，在硅衬底表面形成界面层；步骤S2，沉积高介电常数介质层；步骤S3，进行PDA工艺；步骤S4，淀积氮化钛保护层；步骤S5，沉积一层无定型硅作为盖帽...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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