【技术实现步骤摘要】
深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法
[0001]本专利技术实施例涉及一种深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法。
技术介绍
[0002]在半导体芯片中采用电容器,以用于许多应用(例如电力供应稳定)。电容器往往会占用大量的装置面积,且因此,可以小的装置占用面积(footprint)提供高电容的电容器是期望的。
技术实现思路
[0003]本专利技术实施例提供一种深沟槽电容器,其包括:至少一个深沟槽,从衬底的顶表面向下延伸;以及层堆叠,包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极板,其中:层堆叠内的每一层包括位于至少一个深沟槽中的每一者内部的相应的垂直延伸部分及位于衬底的顶表面上方的相应的水平延伸部分;主电极总成,包括选自至少三个金属电极板中的至少两个主金属电极板;互补电极总成,包括选自至少三个金属电极板中的至少一个互补金属电极板;且层堆叠内的每一层具有包含在垂直平面内的相应的侧壁,垂直平面包括层堆叠的外周边的区段。
[0004]本专利技术实施例提供一种半导体结构,其包括位于衬底上的至少一个深沟槽电容器, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种深沟槽电容器,包括:至少一个深沟槽,从衬底的顶表面向下延伸;以及层堆叠,包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极板,其中:所述层堆叠内的每一层包括位于所述至少一个深沟槽中的每一者内部的相应的垂直延伸部分及位于所述衬底的所述顶表面上方的相应的水平延伸部分;主电极总成,包括选自所述至少三个金属电极板中的至少两个主金属电极板;互补电极总成,包括选自所述至少三个金属电极板中的至少一个互补金属电极板;且所述层堆叠内的每一层具有包含在垂直平面内的相应的侧壁,所述垂直平面包括所述层堆叠的外周边的区段。2.根据权利要求1所述的深沟槽电容器,其中所述层堆叠内的每一层的所述水平延伸部分的每一外侧壁位于包含所述层堆叠的整个所述外周边的一组至少一个垂直平面内的相应的垂直平面内。3.根据权利要求1所述的深沟槽电容器,还包括上覆在所述层堆叠上的刻蚀停止介电层,其中所述刻蚀停止介电层的水平底表面的整个周边邻接所述刻蚀停止层的垂直延伸部分的整个上周边,所述刻蚀停止层的所述垂直延伸部分在侧向上环绕且接触所述层堆叠内的每一层的每一外侧壁。4.根据权利要求1所述的深沟槽电容器,还包括板接触通孔结构,所述板接触通孔结构接触所述至少三个金属电极板中的相应一者的顶表面。5.根据权利要求4所述的深沟槽电容器,其中所述板接触通孔结构中的至少两者包括凸出部分,所述凸出部分接触所述至少三个金属电极板中的相应一者且位于柱状部分之下,所述柱状部分具有比所述凸出部分更小的最大侧向尺寸。6.一种半导体结构,包括位于衬底上的至少一个深沟槽电容器,其中所述至少一个深沟槽电容器中的每一者包括:深沟槽,从所述衬底的顶表面向下延伸;层堆叠,包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极板;以及板接触通孔结构,接触所述至少三个金属电极板中的相应一者的顶表面,其中:所述层堆叠内的每一层包括位于所述深沟槽内部的相应的垂直延伸部分及位于所述衬底的所述顶表面上方的相应的水平延伸部分;所述板接触通孔结构与所述至少三个金属电极...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘铭棋,张宇行,刘世昌,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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