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提供一种深沟槽电容器、半导体结构及其形成方法。所述方法包括在衬底中形成深沟槽，并且在深沟槽中以及在深沟槽之上形成层堆叠，所述层堆叠包括与至少两个节点介电层交错的至少三个金属电极板。在层堆叠之上形成接触级介电材料层，且形成穿过接触级介电材料层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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