芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种芯片封装结构，包括：第一裸片、第二裸片、塑封层、第一再布线层以及第二再布线层；第一裸片包括第一类型焊盘，第一类型焊盘位于第一裸片的活性面；第二裸片包括第二类型焊盘，第二类型焊盘位于第二裸片的活性面；塑封层至少包覆第一裸片与第二裸片的侧表面；第一再布线层包括电连接于第一类型焊盘的第一感应线圈；第二再布线层包括适于与第一感应线圈耦合的第二感应线圈，第二感应线圈电连接于第二类型焊盘。根据本实用新型专利技术的实施例，利用再布线层制作感应线圈，相对于将感应线圈作为预制件封装在芯片封装结构中，可减小封装结构的体积，提高集成度，也能使得芯片与感应线圈的结构紧凑。芯片与感应线圈的结构紧凑。芯片与感应线圈的结构紧凑。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构


[0001]本技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种芯片封装结构。

技术介绍

[0002]近年来，随着电路集成技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高集成度、高性能以及高可靠性方向发展。封装技术不但影响产品的性能，而且还制约产品的小型化。
[0003]有鉴于此，本技术提供一种芯片封装结构，以实现封装结构的体积小、结构紧凑、集成度高的需求。

技术实现思路

[0004]本技术的技术目的是提供一种芯片封装结构，以实现封装结构的体积小、结构紧凑、集成度高的需求。
[0005]为实现上述目的，本技术提供一种芯片封装结构，包括：
[0006]第一裸片，所述第一裸片包括第一类型焊盘，所述第一类型焊盘位于所述第一裸片的活性面；
[0007]第二裸片，所述第二裸片包括第二类型焊盘，所述第二类型焊盘位于所述第二裸片的活性面；
[0008]塑封层，至少包覆所述第一裸片与所述第二裸片的侧表面；所述塑封层包括相对正面与背面，所述塑封层的正面暴露所述第一类型焊盘与所述第二类型焊盘；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：第一裸片，所述第一裸片包括第一类型焊盘，所述第一类型焊盘位于所述第一裸片的活性面；第二裸片，所述第二裸片包括第二类型焊盘，所述第二类型焊盘位于所述第二裸片的活性面；塑封层，至少包覆所述第一裸片与所述第二裸片的侧表面；所述塑封层包括相对正面与背面，所述塑封层的正面暴露所述第一类型焊盘与所述第二类型焊盘；第一再布线层，位于所述塑封层的正面一侧；所述第一再布线层包括第一感应线圈，所述第一感应线圈电连接于所述第一类型焊盘；以及第二再布线层，所述第二再布线层包括第二感应线圈，所述第二感应线圈适于与所述第一感应线圈耦合；所述第二感应线圈电连接于所述第二类型焊盘。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：第一介电层，包覆所述第一再布线层；且，所述第二再布线层位于所述第一介电层上，所述第二感应线圈通过位于所述第一介电层内的导电插塞连接于所述第二类型焊盘。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一裸片包括第一内部电路；所述第一类型焊盘包括第一焊盘与第二焊盘；所述第一焊盘与所述第二焊盘通过所述第一内部电路电连接在一起；所述第二裸片包括第二内部电路；所述第二类型焊盘包括第七焊盘与第八焊盘；所述第七焊盘与所述第八焊盘通过所述第二内部电路电连接在一起；所述第一感应线圈包括第一端与第二端，所述第一端连接于所述第二焊盘；所述第二感应线圈包括第三端与第四端，所述第四端通过位于所述第一介电层内的导电插塞连接于所述第七焊盘。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，还包括：第二介电层，包覆所述第二再布线层；以及第一对外电连接结构、第二对外电连接结构、第三对外电连接结构与第四对外电连接结构，分别位于所述第二介电层上；所述第一对外电连接结构通过位于所述第一介电层与所述第二介电层内的导电插塞连接于所述第一焊盘，所述第二对外电连接结构通过位于所述第一介电层与所述第二介电层内的导电插塞连接于所述第一感应线圈，以使得所述第一对外电连接结构、所述第一焊盘、所述第一内部电路、所述第二焊盘、所述第一感应线圈、所述第二对外电连接结构依次形成导电回路；所述第三对外电连接结构通过位于所述第二介电层内的导电插塞连接于所述第二感应线圈，所述第四对外电连接结构通过位于所述第一介电层与所述第二介电层内的导电插塞连接于所述第八焊盘，以使得所述第三对外电连接结构、所述第二感应线圈、所述第七焊盘、所述第二内部电路、所述第八焊盘、所述第四对外电连接结构依次形成导电回路。5.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一类型焊盘还包括第三焊盘；所述第二类型焊盘还包括第六焊盘；所述第一感应线圈的所述第二端连接于所述第三焊盘；所述第二感应线圈的所述第三端通过位于所述第一介电层内的导电插塞连接于所述第六焊盘；
所述芯片封装结构还包括：第二介电层，包覆所述第二再布线层；以及第一对外电连接结构、第二对外电连接结构、第三对外电连接结构与第四对外电连接结构，分别位于所述第二介电层上；所述第一对外电连接结构通过位于所述第一介电层与所述第二介电层内的导电插塞连接于所述第一焊盘，所述第二对外电连接结构通过位于所述第一介电层与所述第二介电层内的导电插塞连接于所述第三焊盘，以使得所述第一对外电连接结构、所述第一焊盘、所述第一内部电路、所述第二焊盘、所述第一感应线圈、所述第三焊盘、所述第二对外电连接结构依次形成导电回路；所述第三对外电连接结构通过位于所述第一介电层与所述第二介电层内的导电插塞连接于所述第六焊盘，所述第四对外...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍炎，兰月，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：新型
国别省市：