【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。
技术介绍
1、常见的半导体封装技术中，通常采用引线框架或导电铜柱来实现芯片的正面与背面的电连接，芯片封装技术可包含下述工艺过程：首先将芯片及引线框架或导电铜柱贴装在载板上，之后进行热压塑封。
2、但是在对芯片及引线框架或导电铜柱进行热压塑封的过程中，引线框架及导电铜柱容易发生变形和偏移，进而导致位于芯片正面的再布线层与引线框架或导电铜柱出现短路或开路等问题，影响产品的良率。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构。
2、本申请实施例的第一方面提供了一种半导体结构的制造方法，所述制造方法包括：
3、形成待布线结构，所述待布线结构包括第一芯片与塑封层；所述第一芯片包括芯片正面、与所述芯片正面相对的芯片背面、及连接所述芯片正面与所述芯片背面的多个芯片侧面，所述芯片正面设有多个焊垫；所述塑封层至少包封所述芯片侧面；
4、形成再布线层，所述再布线层位于所...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成再布线层，包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述通孔的边缘未与所述再布线层接触的部分在所述平面上的正投影位于对应的所述台阶结构未与所述塑封层接触的部分在所述平面上的正投影的边缘内侧；和/或，
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成再布线层之后得到半导体中间结构；所述塑封层包括切割道，所述再布线层与所述塑封层位于所述切割道之外的区域接触；所述在所述塑...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成再布线层，包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述通孔的边缘未与所述再布线层接触的部分在所述平面上的正投影位于对应的所述台阶结构未与所述塑封层接触的部分在所述平面上的正投影的边缘内侧；和/或，
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述形成再布线层之后得到半导体中间结构；所述塑封层包括切割道，所述再布线层与所述塑封层位于所述切割道之外的区域接触；所述在所述塑封层上形成贯穿所述塑封层的多个通孔之前，所述半导体结构的制造方法还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述采用流动态的导电材料填充所述通孔，所述导电材料固化后形成所述导电部之后，所述半导体结构的制造方法还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述电气元件包括第二芯片，所述在所述芯片背面设置电气元件，将至少一个所述电气元件与所述导电部焊接在一起之后，所述半导体结构的制造方法还包括：
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述导电部背离所述再布线层的表面超出所述塑封层背离所述再布线层的表面。
8.根据权利要求1所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘飞，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：
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