半导体结构及其制备方法技术

一种半导体结构，包括存储阵列、阶梯单元、导电桥接结构、字线驱动器以及导电布线。存储阵列设置在半导体结构的阵列区中并且包括字线。阶梯单元配置于被阵列区围绕的阶梯区中。阶梯单元包括从存储阵列的字线延伸的第一阶梯台阶和第二阶梯台阶。第一阶梯台阶和第二阶梯台阶彼此面对。导电桥接结构电连接第一阶梯台阶与第二阶梯台阶。字线驱动器设置于存储阵列与阶梯单元下方，其中字线驱动器的中央部分与阶梯单元的中央部分交叠。导电布线从第一阶梯台阶和第二阶梯台阶延伸到字线驱动器。梯台阶和第二阶梯台阶延伸到字线驱动器。梯台阶和第二阶梯台阶延伸到字线驱动器。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法


[0001]本揭露是涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体装置用于各种电子应用(例如个人计算机、手机、数字照相机及其他电子装备)中。半导体装置通常是借由以下方式制作而成：在半导体衬底之上依序沉积绝缘层或介电层、导电层及半导体层；以及使用光刻及刻蚀技术将各种材料层图案化以在其上形成电路组件及配件。
[0003]半导体行业借由不断减小最小特征大小(minimum feature size)来不断提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度，此使得能够将更多的组件整合到给定面积中。然而，随着最小特征大小的减小，出现了应解决的附加问题。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种半导体结构包括存储阵列、阶梯单元、导电桥接结构、字线驱动器和导电布线。存储阵列设置在半导体结构的阵列区中，其中存储阵列包括多条字线。阶梯单元配置于半导体结构的阶梯区内并被阵列区围绕，其中阶梯单元包括从存储阵列的多条字线延伸出的第一阶梯台阶与第二阶梯台阶。第一阶梯台阶和第二阶梯台阶彼本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：存储阵列，设置在所述半导体结构的阵列区中，其中所述存储阵列包括多条字线；阶梯单元，设置在所述半导体结构的阶梯区中且被所述阵列区围绕，其中所述阶梯单元包括从所述存储阵列的所述多条字线延伸的第一阶梯台阶和第二阶梯台阶，且所述第一阶梯台阶和所述第二阶梯台阶彼此面对；导电桥接结构，将所述第一阶梯台阶电连接到所述第二阶梯台阶；字线驱动器，设置于所述存储阵列与所述阶梯单元下方，其中所述字线驱动器的中央部分与所述阶梯单元的中央部分交叠；以及导电布线，从所述第一阶梯台阶和所述第二阶梯台阶延伸到所述字线驱动器。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述导电布线包括:第一导电布线从所述第一阶梯台阶沿着第一方向延伸到所述字线驱动器的第一半部；以及第二导电布线从所述第二阶梯台阶沿着第二方向延伸到所述字线驱动器的第二半部，其中所述第一方向与所述第二方向相反。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述第一阶梯台阶和所述第二阶梯台阶各自包括奇数台阶以及偶数台阶，且其中在所述第一阶梯台阶中，所述奇数台阶通过所述第一导电布线直接电连接到所述字线驱动器，而所述偶数台阶通过所述导电桥接结构和所述第二导电布线电连接到所述字线驱动器；以及在所述第二阶梯台阶中，所述奇数台阶通过所述导电桥接结构和所述第一导电布线电连接到所述字线驱动器，而所述偶数台阶通过所述第二导电布线直接电连接到所述字线驱动器。4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括:多条源极线以及多条位线电连接到所述存储阵列，其中所述多条源极线以及所述多条位线的延伸方向垂直于所述多条字线的延伸方向。5.根据权利要求4所述的半导体结构，还包括:第二阶梯单元，设置在所述半导体结构的第二阶梯区中且被所述阵列区围绕，其中所述第二阶梯单元包括从所述存储阵列的所述多条字线延伸的第三阶梯台阶和第四阶梯台阶，且所述第三阶梯台阶和所述第四阶梯台阶彼此面对，且其中所述第二阶梯单元与所述第一阶梯单元在所述多条源极线与所述多条位线的所述延伸方向上不交叠，且在所述多条字线的所述延伸方向上不交叠；以及第二字线驱动器，设置于所述存储阵列与所述第二阶梯单元下方，其中所述第二字线驱动器的中央部分与所述第二阶梯单元的中央部分交叠。6.一种半导体结构，包括:底部互连阵列，包括在第一方向上彼此间隔开的第一字线驱动器和辅助字线驱动器；存储装置，设置在所述底部互连阵列上，其中所述存储装置包括:阵列区，设置在所述底部互连阵列上并与所述第一字线驱动器部分交叠；第一阶梯区，设置在所述第一字线驱动器上并且被所述阵列区围绕，其中所述第一阶梯区包括镜像台阶；
子阵列区，设置在所述底部互连阵列上并与所述辅助字线驱动器部分交叠；辅助阶梯区，设置在所述辅...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨柏峰，杨世海，吕士濂，黄家恩，王奕，林佑明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：