半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

本揭露描述一种半导体装置及其形成方法。形成具有受控掺杂的栅极介电层的半导体装置的方法包括形成栅极介电层于鳍状结构上、形成扩散阻障层于栅极介电层上，以及形成掺质来源层于扩散阻障层上。栅极介电层包括在鳍状结构上的界面层及在界面层上的高k值介电层。掺质来源层的掺质扩散至栅极介电层内。此方法还包括以掺质掺杂界面层的一部分及移除掺质来源层。层。层。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法


[0001]本揭露是有关于一种半导体装置及其形成方法，且特别是有关于一种具有受控掺杂的栅极介电层的半导体装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的进展，对于更高储存电容、更快处理系统、更高性能及更低成本的需求已逐渐增加。为了满足此些需求，半导体产业持续缩小半导体装置的尺寸，例如：包括平面式金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)及鳍式场效晶体管(鳍式FET)的金属氧化物半导体场效晶体管。如此缩小尺寸已带来改善半导体装置的性能的挑战。

技术实现思路

[0003]本揭露的一实施例揭露一种方法，其包含形成栅极介电层于鳍状结构上、形成扩散阻障层于栅极介电层上、形成掺质来源层于扩散阻障层上、以掺质掺杂一部分的界面层，以及移除掺质来源层。栅极介电层包含在鳍状结构上的界面层及在界面层上的高k值介电层。掺质来源层的掺质扩散至栅极介电层内。此部分的界面层是相邻于高k值介电层。
[0004]本揭露的一实施例揭露一种方法，其包含形成于第一鳍状结构上的第一栅极介电层及于第二鳍状结构上的第二栅极介电层、形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，该形成半导体装置的方法包含：形成一栅极介电层于一鳍状结构上，其中该栅极介电层包含在该鳍状结构上的一界面层及在该界面层上的一高k值介电层；形成一扩散阻障层于该栅极介电层上；形成一掺质来源层于该扩散阻障层上，其中该掺质来源层的一掺质扩散至该栅极介电层内；以该掺质掺杂该界面层的一部分，其中该界面层的该部分是相邻于该高k值介电层；以及移除该掺质来源层。2.根据权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，该形成半导体装置的方法还包含：移除该扩散阻障层；以及形成一栅极电极于该栅极介电层上。3.根据权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，该形成半导体装置的方法还包含：进行一氮化处理于该扩散阻障层上；以及形成一栅极电极于该栅极介电层上。4.根据权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，该掺杂该界面层的该部分的操作包含在一热条件下处理该掺质来源层。5.根据权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，该形成半导体装置的方法还包含形成一混合层在相邻于该扩散阻障层的该高k值介电层的一部分内，其中该混合层包含该高k值介电层及该扩散阻障层。6.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，该形成半导体装置的方法包含：形成于一第一鳍状结构上的一第一栅极介电层及于一第二鳍状结构上的一第二栅极介电层，其中该第一栅极介电层包含在该第一鳍状结构上的一第一界面层及在该第一界面层上的一第一高k值介电层，且其中该第二栅极介电层包含在该第二鳍状结构上的一第二界面层及在该第二界面层上的一第二高k值介电层；形成于该第一栅极介电层上的一第一扩...

【专利技术属性】
技术研发人员：摩尔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：