【技术实现步骤摘要】
FinFET的半导体脊中的均匀植入区域
[0001]此说明涉及半导体装置。更特定来说，但非排他地，此说明涉及用于在(例如，FinFET的)半导体脊中提供大体上均匀植入区域的方法及结构。
技术介绍
[0002]场效应晶体管(FET)可以多种方式形成以用于集成电路及其它装置的多种目的。FET在一些集成电路中形成为“平面”装置，即，形成为其中传导沟道具有在平行于衬底的主要表面的方向上延伸的宽度及长度的装置。FET可形成于衬底的绝缘体上硅(SOI)层中或块体硅衬底中。
[0003]还可制作具有非平面传导沟道的FET。在此类非平面FET中，晶体管沟道的长度或宽度在垂直方向上(即，在垂直于衬底的主要表面的方向上)定向。这些类型的FET具有形成于一或多个沟槽之间的一或多个沟道脊或鳍状物。在通常被称为鳍式场效应晶体管(FinFET)的一个此类型的装置中，传导沟道的宽度在垂直方向上定向，而沟道的长度平行于衬底的主要表面定向。在具有沟道的此定向的情况下，FinFET可经构造以具有比平面FET更大宽度的传导沟道，以便产生比占用相同量的集成...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于制作集成电路的方法，所述方法包括：在衬底的半导体表面上方形成半导体脊；在所述半导体脊的顶部及侧壁上形成植入屏蔽物，相比于在所述半导体脊的所述侧壁上，所述植入屏蔽物在所述半导体脊的所述顶部上是至少两倍厚；及将掺杂剂植入到所述半导体脊的所述顶部及所述侧壁中。2.根据权利要求1所述的方法，其中植入所述掺杂剂包含植入具有某一导电性类型及第一离子大小的第一掺杂剂，以及植入具有相同导电性类型及第二离子大小的第二掺杂剂。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一掺杂剂是磷且所述第二掺杂剂是砷。4.根据权利要求2所述的方法，其中具有所述导电性类型的掺杂剂的净浓度在鳍状物的所述顶部与所述鳍状物的所述侧壁之间变化不超过
±
50％。5.根据权利要求1所述的方法，其中植入所述掺杂剂包含以与所述半导体脊的纵向轴线对准的方向植入掺杂剂。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体脊是鳍式场效应晶体管FinFET的鳍状物。7.根据权利要求6所述的方法，其中将所述掺杂剂植入到所述FinFET的N漂移部分中。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述在所述半导体脊的所述顶部及所述侧壁上形成植入屏蔽物包括执行各向异性介电热氧化或沉积工艺。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述在所述半导体脊的所述顶部及所述侧壁上形成植入屏蔽物进一步包括执行各向同性介电热氧化或沉积工艺。10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述半导体表面上方形成介电层，所述介电层覆盖所述半导体脊的所述侧壁的下部部分且暴露所述半导体脊的所述顶部。11.一种用于制作包含鳍式场效应晶体管FinFET的集成电路的方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成鳍状物；在所述鳍状物上形成植入屏蔽物，相比于在...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。