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本申请案的实施例涉及FinFET的半导体脊中的均匀植入区域。本发明揭示一种用于制作集成电路(100)的方法。所述方法包括：在衬底(102)的半导体表面上方形成半导体脊(104)，及在所述半导体脊(104)的顶部(210)及侧壁(220、23...
该专利属于德州仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德州仪器公司授权不得商用。

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