本发明实施例涉及过滤系统及清洗过滤装置的方法。本发明实施例提供一种清洗过滤装置的方法，其包括：提供过滤装置及传感器，过滤装置包括壳体及滤芯，壳体与滤芯之间包括第一内腔，滤芯包括第二内腔，其中第一内腔连接到入口及第一出口，第二内腔连接到第...

本发明的实施例提供了一种随机存取存储器件，包含包括M条主字线和R条替换字线的存储体、行/列解码器和冗余熔丝元件阵列。按每字线位故障计数的降序生成排序的主要故障位计数列表。按每字线位故障计数的升序生成排序的替换故障位计数列表。用替换字线自...

半导体器件包括具有彼此相对的前侧和背侧的衬底。多个光电探测器设置在像素区域内的衬底中。隔离结构设置在像素区域内和光电探测器之间。隔离结构包括从衬底的背侧延伸至衬底中的位置的背侧隔离结构。导电插塞结构设置在外围区域内的衬底中。导电帽设置在...

本公开涉及一种铁电场效应晶体管器件。铁电场效应晶体管器件包括具有第一侧和第二侧的铁电结构。栅极结构沿铁电结构的第一侧设置，并且氧化物半导体沿铁电结构的第二侧设置。氧化物半导体具有第一半导体类型。源极区域和漏极区域设置在氧化物半导体上。栅...

本发明提供半导体结构和用于形成半导体结构的方法。半导体结构包括衬底以及衬底上方的介电堆叠件。介电堆叠件包括衬底上方的第一层和第一层上方的第二层。半导体结构还包括栅极层，该栅极层包括穿过第二层的第一部分以及在第一层和第二层之间延伸的第二部...

本发明实施例提出一种半导体装置。半导体装置包括半导体基板、源极结构与漏极结构、半导体层堆叠、栅极部分以及内侧间隔物。源极结构与漏极结构位于半导体基板上；半导体层堆叠夹设于源极结构与漏极结构之间；栅极结构位于半导体层堆叠的两个垂直相邻的层...

一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包含第一介电层位于元件基底层之上，第一介电层有具第一侧壁的第一开口；第一内连部延伸通过第一开口；以及覆盖层位于第一内连部的上表面之上，其中覆盖层包含第一金属、碳、与氮。与氮。与氮。

本发明的实施例提供了一种半导体器件及其逻辑系统和操作半导体器件的方法。半导体器件包括第一锁存电路和连接至第一锁存电路的第二锁存电路。第二锁存电路包括第一反馈电路和第一传输电路，第一反馈电路被配置为接收第一相位的第一时钟信号和第二相位的第...

形成半导体器件的方法包括：形成在衬底之上突出的鳍结构，其中，鳍结构包括鳍和位于鳍上面的层堆叠件，其中，层堆叠件包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在鳍结构上方形成伪栅极结构；在伪栅极结构的相对侧上的鳍结构中形成开口，其中，开口穿...

本发明实施例涉及浸润式曝光装置。用于浸润式曝光装置的底部镜片包括在所述底部镜片的侧壁上的疏水涂层。所述底部镜片的底部部分未涂覆所述疏水涂层，以保持所述底部镜片的光学性能，并且不会使要转印到衬底上的图案变形。所述疏水涂层能减少所述底部镜片...

本发明实施例涉及用于核心装置在安全操作区中操作的虚设装置及其制造方法。提供一种半导体装置及一种用于制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：核心晶体管，其具有经配置以接收第一电压的漏极；及第一虚设装置，其连接到所述核心晶体管的所述漏极，...

本公开提出一种半导体结构与其形成方法。例示性的半导体结构包括隔有栅极结构的第一源极/漏极接点与第二源极/漏极接点；蚀刻停止层位于第一源极/漏极接点与第二源极/漏极接点上；导电结构位于蚀刻停止层中并直接接触第一源极/漏极接点与第二源极/漏...

一种半导体装置的制造方法，包括提供一种结构，此结构具有一基底和在前述基底上方的一通道层；在前述通道层上方形成一高介电常数栅极介质层；在前述高介电常数栅极介质层上形成一功函数金属层；在前述功函数金属层上形成一硅化物层；对此结构进行退火，使...

半导体装置包括栅极，位于基板上。源极/漏极，位于基板中。导电接点，位于源极/漏极上。气体间隔物，位于栅极与导电接点之间。第一构件，位于栅极上。第二构件，位于气体间隔物上。第二构件与第一构件不同。构件与第一构件不同。构件与第一构件不同。

提供一种芯片结构。芯片结构包含基板。芯片结构包含导电线，导电线位于基板的上方。芯片结构包含第一钝化层，第一钝化层位于基板与导电线的上方。芯片结构包含导电垫，导电垫位于第一钝化层的上方并覆盖导电线。导电垫比导电线更厚且更宽。芯片结构包含第...

本公开提出半导体结构及其制造方法。一示例性的半导体结构包括第一基座部分和第二基座部分，设置在前述第一基座部分和前述第二基座部分之间的一隔离部件，位于前述的隔离部件上方的一中心介电鳍片，位于前述的第一基座部分上方的一第一抗穿通部件，位于前...

本公开涉及用于电子迁移评估的方法及设备。本公开提供一种用于测试半导体装置的方法及设备。所述方法包含：在集成电路设计布局中提供作用区；将所述作用区分组成第一区及第二区；计算所述作用区的所述第一区的第一自热温度；计算所述作用区的所述第二区的...

本公开的半导体装置包括第一通道构件的堆叠、直接设置在第一通道构件的堆叠上方的第二通道构件的堆叠、与前述第一通道构件的堆叠接触的一底部源极/漏极部件、设置在底部源极/漏极部件上方的一分隔层(separation layer)、与第二通道构...

本发明实施例涉及一种用于制造集成电路IC的方法及系统。该方法包含：在示意图中识别第一边缘元件及第二边缘元件，所述边缘元件包含其布局图案经配置以符合第一布局栅格的装置；识别所述第一边缘元件与所述第二边缘元件之间的所有元件，所述经识别元件中...

本文公开了用于测试电路模型的方法、器件和非暂时性计算机可读介质。一方面，为电路模型的多个输入条件集合中的每个分配对应虚拟缺陷。不考虑根据该电路模型形成的集成电路的物理特性，生成该虚拟缺陷。每个虚拟缺陷可以与对应输入条件集合相关联。一方面...