集成芯片、铁电场效应晶体管器件及其形成方法技术

本公开涉及一种铁电场效应晶体管器件。铁电场效应晶体管器件包括具有第一侧和第二侧的铁电结构。栅极结构沿铁电结构的第一侧设置，并且氧化物半导体沿铁电结构的第二侧设置。氧化物半导体具有第一半导体类型。源极区域和漏极区域设置在氧化物半导体上。栅极结构横向介于源极区域和漏极区域之间。极化增强结构在源极区域和漏极区域之间布置在氧化物半导体上。极化增强结构包括具有不同于第一半导体类型的第二半导体类型的半导体材料或氧化物半导体材料。本发明专利技术的实施例还涉及集成芯片及形成铁电场效应晶体管器件的方法。及形成铁电场效应晶体管器件的方法。及形成铁电场效应晶体管器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片、铁电场效应晶体管器件及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及一种集成芯片、铁电场效应晶体管器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]许多现代电子器件包括非易失性存储器。非易失性存储器是电子存储器，能够在通电和不通电时存储数据。下一代非易失性存储器的有希望的候选者是铁电随机存取存储器(FeRAM)。FeRAM具有相对简单的结构，并且与互补金属氧化物半导体(CMOS)逻辑制造工艺兼容。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的实施例，提供了一种铁电场效应晶体管器件，包括：铁电结构，具有第一侧和第二侧；栅极结构，沿所述铁电结构的第一侧设置；氧化物半导体，沿所述铁电结构的第二侧设置并具有第一半导体类型；源极区域和漏极区域，设置在所述氧化物半导体上，其中，所述栅极结构横向介于所述源极区域和所述漏极区域之间；以及极化增强结构，在所述源极区域和所述漏极区域之间布置在所述氧化物半导体上，并且包括具有不同于所述第一半导体类型的第二半导体类型的半导体材料或氧化物半导体材料。
[0004]根据本专利技术的实施例，还提供了一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铁电场效应晶体管器件，包括：铁电结构，具有第一侧和第二侧；栅极结构，沿所述铁电结构的第一侧设置；氧化物半导体，沿所述铁电结构的第二侧设置并具有第一半导体类型；源极区域和漏极区域，设置在所述氧化物半导体上，其中，所述栅极结构横向介于所述源极区域和所述漏极区域之间；以及极化增强结构，在所述源极区域和所述漏极区域之间布置在所述氧化物半导体上，并且包括具有不同于所述第一半导体类型的第二半导体类型的半导体材料或氧化物半导体材料。2.根据权利要求1所述的铁电场效应晶体管器件，还包括：介电层，设置在所述极化增强结构上，其中，所述源极区域和所述漏极区域延伸穿过所述介电层和所述极化增强结构。3.根据权利要求1所述的铁电场效应晶体管器件，其中，所述第一半导体类型是n型半导体，所述第二半导体类型是p型半导体。4.根据权利要求1所述的铁电场效应晶体管器件，其中，所述极化增强结构沿所述源极区域的相反侧和沿所述漏极区域的相反侧布置。5.根据权利要求1所述的铁电场效应晶体管器件，其中，所述氧化物半导体包括铟镓锌氧化物、铟镓锌锡氧化物、氧化铟钨、铟钨锌氧化物、氧化铟锌和氧化锌中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的铁电场效应晶体管器件，其中，所述极化增强结构具有在所述源极区域的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志宇，马礼修，李泓纬，林佑明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：