存储器件及其形成方法技术

本发明专利技术实施例的一种存储器件包括阶梯结构、多个第一导电接触件、多个第一驱动器以及多个第二导电接触件。阶梯结构包括交替堆叠的多条第一导电线与多个第一介电层。第一导电接触件分别电连接到所述多条第一导电线。第二导电接触件分别电连接到所述多个第一驱动器。所述多个第一导电接触件与所述多个第二导电接触件结合且设置在所述多条第一导电线与所述多个第一驱动器之间。多个第一驱动器之间。多个第一驱动器之间。

【技术实现步骤摘要】
存储器件及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及一种存储器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件用于各种电子应用(例如个人计算机、手机、数字照相机及其他电子设备)中。半导体器件通常是通过如下方式制作而成：在半导体衬底之上依序沉积绝缘层或介电层、导电层及半导体层，并使用光刻及蚀刻技术将各种材料层图案化以在其上形成电路组件及元件。
[0003]半导体行业通过不断减小最小特征大小(minimum feature size)来不断提高各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，此使得能够将更多的组件集成到给定区域中。然而，随着最小特征大小的减小，出现应解决的附加问题。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术的实施例，一种存储器件包括阶梯结构、多个第一导电接触件、多个第一驱动器以及多个第二导电接触件。所述阶梯结构包括交替堆叠的多条第一导电线与多个第一介电层。所述多个第一导电接触件分别电连接到所述多条第一导电线。所述多个第二导电接触件分别电连接到所述多个第一驱动器。所述多个第一导电接触件与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：阶梯结构，包括交替堆叠的多条第一导电线与多个第一介电层；多个第一导电接触件，分别电连接到所述多条第一导电线；多个第一驱动器；以及多个第二导电接触件，分别电连接到所述多个第一驱动器，其中所述多个第一导电接触件与所述多个第二导电接触件结合且设置在所述多条第一导电线与所述多个第一驱动器之间。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述多个第一导电接触件包括多个第一结合焊垫，所述多个第二导电接触件包括多个第二结合焊垫，且所述多个第一结合焊垫结合到所述多个第二结合焊垫。3.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述多个第一导电接触件与所述多个第二导电接触件分别直接接触。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述多个第一驱动器中的一者包括栅极以及源极和漏极区，且相应的所述第二导电接触件电连接到所述源极和漏极区。5.根据权利要求1所述的存储器件，还包括跨越所述多条第一导电线及所述多个介电层的多条第二导电线。6.根据权利要求5所述的存储器件，还包括多个第二驱动器及分别电连接到所述多个第二驱动器的多个第三导电接触件，其中所述多个第三导电接触件结合到所述多条第二导电线且设置在所述多条第二导电线与所述多个第二驱动器之间。7.一种存储器件，包括：阶梯结构，具有第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林孟汉，杨世海，林佑明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：