半导体装置制造方法及图纸

本公开的半导体装置包括第一通道构件的堆叠、直接设置在第一通道构件的堆叠上方的第二通道构件的堆叠、与前述第一通道构件的堆叠接触的一底部源极/漏极部件、设置在底部源极/漏极部件上方的一分隔层(separation layer)、与第二通道构件的堆叠接触并设置在分隔层上方的一顶部源极/漏极部件、以及延伸穿过顶部源极/漏极部件和分隔层而电性耦接至底部源极/漏极部件的一前侧接触件。极/漏极部件的一前侧接触件。极/漏极部件的一前侧接触件。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术实施例内容涉及一种半导体装置及其制造方法，特别涉及一种具有局部的互连结构(local interconnect structure)的半导体装置及其制造方法，以将底部晶体管的源极/漏极部件耦接到顶部晶体管的源极/漏极部件。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(ICs)工业经历了指数级的成长。集成电路材料和设计方面的技术进步已经产生了许多代的集成电路，其中每一代都比前一代具有更小、更复杂的电路。在集成电路发展过程中，通常增加了功能密度(即，每个芯片区域的互连装置的数量)，而缩减了几何尺寸(即，在工艺中可以产生的最小部件(或线))。此种按比例缩减尺寸的工艺通常可提高生产效率和降低相关成本而提供好处。此种按比例缩小还增加了处理和制造集成电路的复杂性。
[0003]例如，随着集成电路(IC)技术朝着更小的技术节点发展，已经引入了多栅极装置(multi
‑
gate devices)，以通过增加栅极
‑
通道耦合(gate
‑
channel coupling)、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：一第一通道构件的堆叠；一第二通道构件的堆叠，该第二通道构件的堆叠直接设置在该第一通道构件的堆叠的上方；一底部源极/漏极部件，该底部源极/漏极部件与该第一通道构件的堆叠接触；一分隔层，该分隔层设置在该底部...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志昌，陈仕承，张荣宏，姚茜甯，江国诚，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：