【技术实现步骤摘要】
用于制造基于半导体的集成电路的方法及系统
[0001]本专利技术实施例涉及用于制造基于半导体的集成电路的方法。
技术介绍
[0002]集成电路(“IC”)包含由半导体及其它适当材料制成的一或多个装置。表示半导体装置的方式是使用平面图,其称为布局图。布局图呈阶层式且分解成实施IC设计规格所需的高级功能的模块。
[0003]随着更高级IC的需求不断增加,制造产量可能暂时无法满足需求。此外,制造成本面临不断下行压力。
技术实现思路
[0004]本专利技术的实施例涉及一种用于制造基于半导体的集成电路的方法,所述方法包括:在示意图中识别第一边缘元件及第二边缘元件,所述第一边缘元件及所述第二边缘元件包含其布局图案经配置以符合第一布局栅格的装置;识别所述第一边缘元件与所述第二边缘元件之间的所有元件,所述经识别元件中的至少一者包括其布局图案经配置以符合比所述第一布局栅格精细的第二布局栅格的装置;计算所述第一边缘元件与所述第二边缘元件之间的所述经识别元件的组合布局图案的空间量;基于所述经计算空间量来确定所述组合布局图案 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于制造基于半导体的集成电路的方法,所述方法包括:在示意图中识别第一边缘元件及第二边缘元件,所述第一边缘元件及所述第二边缘元件包含其布局图案经配置以符合第一布局栅格的装置;识别所述第一边缘元件与所述第二边缘元件之间的所有元件,所述经识别元件中的至少一者包括其布局图案经配置以符合比所述第一布局栅格精细的第二布局栅格的装置;计算所述第一边缘元件与所述第二边缘元件之间的所述经识别元件的组合布局图案的空间量;基于所述经计算空间量来确定所述组合布局图案是否符合所述第一布局栅格;响应于确定所述组合布局图案符合所述第一布局栅格而将所述组合布局图案转换成数据文件;及使用根据所述数据文件所制造的掩模来使基于半导体的晶片暴露于辐射。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述经识别元件中的至少一者包括波导、阵列波导、分接头、光栅耦合器、直接耦合器、环形谐振器、多模式干涉仪及分离器中的一者。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述基于半导体的集成电路至少部分由硅光子工艺制造。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述经识别元件中的每一者与沿第一方向的第一尺寸及沿基本上垂直于所述第一方向的第二方向的第二尺寸中的至少一者相关联。5.根据权利要求4所述的方法,其中所述经识别元件中的至少一者与沿所述第一方向的第一尺寸及沿所述第二方向的第二尺寸相关联。6.根据权利要求5所述的方法,其中计算所述第一边缘元件与所述第二边缘元件之间的所述经识别元件的组合布局图案的空间量包括:计算所述经识别元件中的每一者的所述第一尺寸的第一总和;及计算所述经识别元件中的每一者的所述第二尺寸的第二总和。7.一种系统,其包括存储程序指令的非暂时性计算机可读媒体及操作地耦合到所述非暂时性计算机可读媒体的处理器,其中所述程序指令在由所述处理器执行时致使所述处理器执行:根据第一光刻工艺产生与基于半导体的集成电路相关联的前段工艺FEOL区段的第一示意例子,其中所述第一示意例子与第一尺寸相关联;根据第二光刻工艺产生与所述基于半导体的集成电路相关联...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈又豪,李惠宇,管瑞丰,吴建德,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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