用于核心装置在安全操作区中操作的虚设装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及用于核心装置在安全操作区中操作的虚设装置及其制造方法。提供一种半导体装置及一种用于制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：核心晶体管，其具有经配置以接收第一电压的漏极；及第一虚设装置，其连接到所述核心晶体管的所述漏极，所述第一虚设装置具有第一虚设晶体管及第二虚设晶体管。其中所述第一虚设晶体管的栅极与源极彼此连接。其中所述第二虚设晶体管的漏极连接到所述第一虚设晶体管的所述源极。其中所述第二虚设晶体管的栅极连接到所述核心晶体管的所述漏极。极。极。

【技术实现步骤摘要】
用于核心装置在安全操作区中操作的虚设装置及其制造方法


[0001]本专利技术实施例涉及用于核心装置在安全操作区中操作的虚设装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]本公开大体上涉及半导体装置及其制造方法。具体来说，本公开涉及包含使核心装置能够在安全操作区(SOA)中操作的虚设装置的半导体装置及其制造方法。
[0003]在半导体电路领域中，核心装置表示在较低电压(例如，约0.75伏特(V))下操作的装置。替代地，输入/输出(IO)装置表示在较高电压(例如，约1.2V)下操作的装置。一般来说，IO装置通常具有较厚氧化物结构且因此具有较佳SOA。然而，IO装置通常在操作速度、驱动能力等方面具有较低性能。另一方面，核心装置通常在操作速度及驱动能力方面具有较佳性能，但可能无法在与IO装置相同的操作电压下操作。因此，核心装置的应用受到限制。
[0004]随着技术进步，对半导体装置的操作速度的要求愈来愈高。出于这个原因，已进行关于核心装置在与IO装置相同的电压下操作的研究。

技术实现思路

[0005]根据本专利技术的一实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：核心晶体管，其具有经配置以接收第一电压的漏极；及第一虚设装置，其连接到所述核心晶体管的所述漏极，所述第一虚设装置具有第一虚设晶体管及第二虚设晶体管，其中所述第一虚设晶体管的栅极与源极彼此连接，所述第二虚设晶体管的漏极连接到所述第一虚设晶体管的所述源极，且所述第二虚设晶体管的栅极连接到所述核心晶体管的所述漏极。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二虚设晶体管的源极经配置以接收第一参考电压。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述核心晶体管的栅极经配置以接收第二参考电压。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一电压与所述第一参考电压之间的差小于所述核心晶体管的安全操作区限制。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一虚设装置进一步包括连接到所述第一虚设晶体管的漏极的第三虚设晶体管，且其中所述第三虚设晶体管的栅极连接到所述第三虚设晶体管的源极。6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹斯钧，洪照俊，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：