用于核心装置在安全操作区中操作的虚设装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及用于核心装置在安全操作区中操作的虚设装置及其制造方法。提供一种半导体装置及一种用于制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：核心晶体管，其具有经配置以接收第一电压的漏极；及第一虚设装置，其连接到所述核心晶体管的所述漏极，所述第一虚设装置具有第一虚设晶体管及第二虚设晶体管。其中所述第一虚设晶体管的栅极与源极彼此连接。其中所述第二虚设晶体管的漏极连接到所述第一虚设晶体管的所述源极。其中所述第二虚设晶体管的栅极连接到所述核心晶体管的所述漏极。极。极。

【技术实现步骤摘要】
用于核心装置在安全操作区中操作的虚设装置及其制造方法


[0001]本专利技术实施例涉及用于核心装置在安全操作区中操作的虚设装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]本公开大体上涉及半导体装置及其制造方法。具体来说，本公开涉及包含使核心装置能够在安全操作区(SOA)中操作的虚设装置的半导体装置及其制造方法。
[0003]在半导体电路领域中，核心装置表示在较低电压(例如，约0.75伏特(V))下操作的装置。替代地，输入/输出(IO)装置表示在较高电压(例如，约1.2V)下操作的装置。一般来说，IO装置通常具有较厚氧化物结构且因此具有较佳SOA。然而，IO装置通常在操作速度、驱动能力等方面具有较低性能。另一方面，核心装置通常在操作速度及驱动能力方面具有较佳性能，但可能无法在与IO装置相同的操作电压下操作。因此，核心装置的应用受到限制。
[0004]随着技术进步，对半导体装置的操作速度的要求愈来愈高。出于这个原因，已进行关于核心装置在与IO装置相同的电压下操作的研究。

技术实现思路

[0005]根据本专利技术的一实施例，一种半导体装置包括：核心晶体管，其具有经配置以接收第一电压的漏极；及第一虚设装置，其连接到所述核心晶体管的所述漏极，所述第一虚设装置具有第一虚设晶体管及第二虚设晶体管，其中所述第一虚设晶体管的栅极及源极彼此连接，所述第二虚设晶体管的漏极连接到所述第一虚设晶体管的所述源极，且所述第二虚设晶体管的栅极连接到所述核心晶体管的所述漏极。
[0006]根据本专利技术的一实施例，一种半导体装置包括：衬底；连续作用区域，其在所述衬底上；核心晶体管，其具有经配置以接收第一电压的漏极；及虚设装置，其连接到所述核心晶体管的所述漏极，所述虚设装置具有第一虚设晶体管及第二虚设晶体管，其中所述第二虚设晶体管的漏极连接到所述第一虚设晶体管的所述源极，且所述第二虚设晶体管的源极邻近于所述连续作用区域的边缘放置。
[0007]根据本专利技术的一实施例，一种用于制造半导体装置的方法包括：形成具有经配置以接收IO电压范围内的第一电压的漏极的第一核心晶体管；形成具有第一虚设晶体管及第二虚设晶体管的虚设装置；将所述第二虚设晶体管的漏极连接到所述第一虚设晶体管的源极；及将所述第一虚设晶体管的栅极连接到所述第一核心晶体管的栅极。
附图说明
[0008]当结合附图阅读时，从以下详细描述更佳地理解本公开的实施例的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种结构不按比例绘制。事实上，为清晰论述，各种结构的尺寸可任意增加或减小。
[0009]图1A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意图。
[0010]图1B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意图。
[0011]图2A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意图。
[0012]图2B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意图。
[0013]图3A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意图。
[0014]图3B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意图。
[0015]图4A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意图。
[0016]图4B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意图。
[0017]图5A、图5B、图5C及图5D各自说明核心装置的布局图案，其中可应用根据本公开的一些实施例的虚设装置。
[0018]图6A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的布局图案。
[0019]图6B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的布局图案。
[0020]图7A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的布局图案。
[0021]图7B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的布局图案。
[0022]图8A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意图。
[0023]图8B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的示意图。
[0024]图9A说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的布局图案。
[0025]图9B说明根据本公开的一些实施例的半导体装置的布局图案。
[0026]图10说明根据本公开的一些比较实施例的半导体装置的布局图案。
[0027]图11说明根据本公开的一些实施例的包含用于制造半导体装置的操作的流程图。
具体实施方式
[0028]以下揭露提供用于实施所提供主题的不同构件的许多不同实施例或实例。在下文描述元件及布置的特定实例以简化本公开。当然，这些仅是实例且不意在是限制性。例如，在以下描述中，在第二构件上方或上形成第一构件可包含其中第一构件及第二构件形成为直接接触的实施例，且还可包含其中额外构件可形成在第一构件与第二构件之间使得第一构件及第二构件可不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复参考数字及/或字母。这个重复是出于简单及清晰的目的且本身并不指示所论述的各种实施例及/或构形之间的关系。
[0029]此外，为便于描述，例如“在
…
下面”、“在
…
下方”、“下”、“在
…
上面”、“在
…
上方”、“上”、“在
…
上”等的空间相对术语可在本文中用于描述一个元件或构件与图中说明的另一(些)元件或构件的关系。空间相对术语意在涵盖除在图中描绘的定向以外的使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或按其它定向)且因此可同样解释本文中使用的空间相对描述符。
[0030]如本文中使用，尽管例如“第一”、“第二”及“第三”的术语描述各种元件、组件、区、层及/或区段，然这些元件、组件、区、层及/或区段不应被这些术语限制。这些术语仅可用于将一个元件、组件、区、层或区段彼此区分。例如“第一”、“第二”及“第三”的术语当在本文中使用时并不暗示序列或顺序，除非由上下文明确指示。
[0031]尽管阐述本公开的广泛范围的数值范围及参数是近似值，但尽可能精确地报告在特定实例中阐述的数值。然而，任何数值固有地含有必然由相应测试测量中发现的标准偏差所引起的某些误差。而且，如本文中使用，术语“基本上”、“近似”及“约”通常表示在可由
所属领域的一般技术人员所预期的值或范围内。替代地，术语“基本上”、“近似”及“约”表示在由所属领域的一般技术人员考虑时在平均值的可接受标准误差内。所属领域的一般技术人员可理解，可接受标准误差可根据不同技术而变化。除了在操作/工作实例中之外，或除非另外明确指定，否则全部数值范围、量、值及百分比(例如针对材料数量、持续时间、温度、操作条件、量的比率及本文中揭示的其类似物的数值范围、量、值及百分比)应被理解为在全部例子中由术语“基本上”、“近似”或“约”修饰。因此，除非相反地指示，否则本公开及所附权利要求书中阐述的数值参数是可视需要变化的近似值。至少，每一数值参数应至少依据所报告的有效数字的数字且通过应用普通舍入技术来解释。本文中可将范围表达为从一个端点到另一端点或在两个端点之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：核心晶体管，其具有经配置以接收第一电压的漏极；及第一虚设装置，其连接到所述核心晶体管的所述漏极，所述第一虚设装置具有第一虚设晶体管及第二虚设晶体管，其中所述第一虚设晶体管的栅极与源极彼此连接，所述第二虚设晶体管的漏极连接到所述第一虚设晶体管的所述源极，且所述第二虚设晶体管的栅极连接到所述核心晶体管的所述漏极。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二虚设晶体管的源极经配置以接收第一参考电压。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述核心晶体管的栅极经配置以接收第二参考电压。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一电压与所述第一参考电压之间的差小于所述核心晶体管的安全操作区限制。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一虚设装置进一步包括连接到所述第一虚设晶体管的漏极的第三虚设晶体管，且其中所述第三虚设晶体管的栅极连接到所述第三虚设晶体管的源极。6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹斯钧，洪照俊，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：