半导体结构与其形成方法技术

本公开提出一种半导体结构与其形成方法。例示性的半导体结构包括隔有栅极结构的第一源极/漏极接点与第二源极/漏极接点；蚀刻停止层位于第一源极/漏极接点与第二源极/漏极接点上；导电结构位于蚀刻停止层中并直接接触第一源极/漏极接点与第二源极/漏极接点；介电层位于蚀刻停止层上；以及接点通孔延伸穿过介电层并电性连接至导电结构。通过提供导电结构，有利于减少半导体结构的内连线结构中的金属线路数目。线路数目。线路数目。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构与其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体结构，尤其涉及导入夹层内连线层于中段工艺结构与后段工艺结构之间的结构与方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进中，功能密度(比如单位芯片面积的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如采用的制作工艺所能产生的最小构件或线路)缩小而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能并降低相关成本。尺寸缩小亦会增加制造与处理集成电路的复杂度。
[0003]已导入多栅极装置如鳍状场效晶体管与全绕式栅极晶体管，以增加栅极
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通道耦合、减少关闭状态电流、并减少短通道效应而改善栅极控制。多栅极装置的三维结构可大幅减少尺寸，同时维持栅极控制并减缓短通道效应。然而就算导入多栅极装置，大幅减少集成电路尺寸的作法仍造成紧密排列的栅极结构与源极/漏极接点、紧密排列的接点通孔、与对应的金属线路。虽然现存的内连线结构通常适用于预期目的，但仍无法符合所有方面的需求。
专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：一第一源极/漏极接点；一第二源极/漏极接点，与该第一源极/漏极接点隔有一第一栅极结构；一蚀刻停止层，位于该第一源极/漏极接点与该第二源极/漏极接点上；一导电结构，位于该蚀刻停止层中并直接接触该第一源极/漏极接点与该第二源极/漏极接点；一介电层，位于该蚀刻停止层上；以及一接点通孔，延伸穿过该介电层并电性连接至该导电结构。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该导电结构的上表面与该蚀刻停止层的上表面共平面。3.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：一自对准盖层，位于该第一栅极结构上，其中该导电结构沿着一方向直接位于该自对准盖层的一部分上。4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该导电结构包括沿着该方向所见的L形。5.一种半导体结构，包括：一第一金属接点，位于一第一源极/漏极结构上；一第一栅极结构，与该第一金属接点相邻；一第一蚀刻停止层，位于该第一金属接点与该第一栅极结构上；一金属结构，延伸穿过该蚀刻停止层并电性连接至该第一金属接点；一层间介电层，位于该蚀刻停止层上；以及一接点通孔，延伸穿过该层间介电层以耦接至该金属结构，其中该金属结构直接位于该第一栅极结构的至少一部分上。6.如权利要求5所述的半导体结构，还包括：一第二金属接...

【专利技术属性】
技术研发人员：王朝勋，薛婉容，杨复凯，王美匀，王胜雄，黄仕贤，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：