半导体器件的制作方法及半导体器件技术

本申请提供了一种半导体器件的制作方法及半导体器件，该半导体器件的制作方法包括：提供衬底、第一凹槽、阻挡层、第一氧化层以及第二氧化层，衬底包括高压器件区以及低压器件区，低压器件区位于高压器件区的一侧，阻挡层位于高压器件区上，第一凹槽位于低压器件区中，第一氧化层位于阻挡层的远离高压器件区的表面上，第二氧化层覆盖第一凹槽的侧壁，且第一氧化层的厚度小于第二氧化层的厚度；去除第一氧化层以及部分的第二氧化层，以使得阻挡层裸露；去除阻挡层后，去除剩余的第二氧化层。本申请的半导体制作方法不影响有源区关键尺寸，保证了器件的性能较好。保证了器件的性能较好。保证了器件的性能较好。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制作方法及半导体器件


[0001]本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件的制作方法及半导体器件。

技术介绍

[0002]在MOSFET(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管)结构制作过程中，在去除HV(High Voltage，高压)器件区的保护层时，会损伤LV(Low Voltage，低压)器件区裸露的侧壁，从而影响有源区的关键尺寸，进而影响器件的整体性能。
[0003]因此，亟需一种方法，来解决去除HV区域的保护层时损伤LV区域的侧壁，影响器件性能的问题。
[0004]在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
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中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

技术实现思路

[0005]本申请的主要目的在于提供一种半导体器件的制作方法及半导体器件，以解决去除HV区域的保护层时损伤LV区域的侧壁，影响器件性能的问题。
[0006]为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供衬底、第一凹槽、阻挡层、第一氧化层以及第二氧化层，所述衬底包括高压器件区以及低压器件区，所述低压器件区位于所述高压器件区的一侧，所述阻挡层位于所述高压器件区上，所述第一凹槽位于所述低压器件区中，所述第一氧化层位于所述阻挡层的远离所述高压器件区的表面上，所述第二氧化层覆盖所述第一凹槽的侧壁，且所述第一氧化层的厚度小于所述第二氧化层的厚度；去除所述第一氧化层以及部分的所述第二氧化层，以使得所述阻挡层裸露；去除所述阻挡层后，去除剩余的所述第二氧化层。
[0007]可选地，提供衬底、第一凹槽、阻挡层、第一氧化层以及第二氧化层，包括：提供预备衬底，所述预备衬底包括所述高压器件区以及所述低压器件区；去除所述预备衬底的部分，以在所述低压器件区中形成第二凹槽；在所述高压器件区上形成预备阻挡层；对所述第二凹槽的裸露侧壁以及所述预备阻挡层进行氧化，以分别形成所述第二氧化层以及所述第一氧化层，剩余的所述预备阻挡层形成所述阻挡层，剩余的所述第二凹槽形成所述第一凹槽。
[0008]可选地，对所述第二凹槽的裸露侧壁以及所述预备阻挡层进行氧化，包括：采用炉管湿氧工艺对所述第二凹槽的裸露侧壁以及所述预备阻挡层进行氧化。
[0009]可选地，去除所述预备衬底的部分，以在所述低压器件区中形成第二凹槽，包括：去除所述预备衬底的部分，在所述高压器件区中形成第三凹槽，且在所述低压器件区形成第四凹槽；在所述第三凹槽以及所述第四凹槽中分别填充氧化材料，填充后的所述第四凹
槽形成所述第二凹槽。
[0010]可选地，去除所述预备衬底的部分，在所述高压器件区中形成第三凹槽，且在所述低压器件区形成第四凹槽，包括：在所述预备衬底上依次叠置栅氧层以及介质层；去除部分的所述栅氧层、部分的所述介质层以及部分的所述预备衬底，以形成贯穿所述栅氧层、所述介质层至所述高压器件区中的第三凹槽，以及形成贯穿所述栅氧层、所述介质层至所述低压器件区的第四凹槽，位于所述高压器件区上的剩余的所述栅氧层形成第一栅氧部，位于所述低压器件区上的剩余的所述栅氧层形成第二栅氧部。
[0011]可选地，在去除剩余的所述第二氧化层之后，所述方法还包括：去除剩余的所述介质层以及所述第二栅氧部。
[0012]可选地，所述低压器件区有多个，至少部分的所述低压器件区对应器件的电压不同，所述第一凹槽有多个，且所述第一凹槽一一对应地位于所述低压器件区中。
[0013]可选地，所述衬底的材料的氧化速率大于所述阻挡层的材料的氧化速率。
[0014]可选地，所述衬底的材料包括硅，所述阻挡层的材料包括多晶硅。
[0015]根据本申请的另一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件为采用任一种所述的方法制作得到的。
[0016]应用本申请的技术方案，所述半导体器件的制作方法中，首先提供包括高压器件区以及低压器件区的衬底、位于所述第一低压器件区的第一凹槽、阻挡层、第一氧化层以及第二氧化层，所述阻挡层位于所述高压器件区上，所述第一氧化层覆盖所述阻挡层的远离所述高压器件区的表面，所述第二氧化层覆盖所述第一凹槽的侧壁，且所述第一氧化层的厚度小于所述第二氧化层的厚度；然后，去除所述第一氧化层以及部分的所述第二氧化层；最后去除剩余的所述第二氧化层以及所述阻挡层。本申请的所述方法通过生长所述第一氧化层以及所述第二氧化层，且使得所述第一氧化层的厚度小于所述第二氧化层的厚度，在去除所述第一氧化层时，所述第二氧化层不会被完全去除，这样在去除所述阻挡层时，剩余的所述第二氧化层可保护第一凹槽的侧壁不受损伤，保证了不影响所述低压器件区中有源区的关键尺寸，进而保证了器件的性能较好。
附图说明
[0017]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
[0018]图1示出了一种具体的实施例中刻蚀氧化层的过程中对SiN保护层造成损伤的结构示意图；
[0019]图2示出了将图1中的SiN保护层替换为Poly保护层得到的结构示意图；
[0020]图3示出了去除图2中的Poly保护层后得到的结构示意图；
[0021]图4示出了根据本申请的实施例的半导体器件的制作方法的流程示意图；
[0022]图5示出了根据本申请的实施例的在预备衬底上形成第二凹槽以及预备阻挡层后得到的结构示意图；
[0023]图6示出了根据本申请的实施例的对图5所示的结构进行氧化后得到的结构示意图；
[0024]图7示出了根据本申请的实施例的去除图6中的半导体结构的第一氧化层以及部
分的第二氧化层后得到的结构示意图；
[0025]图8示出了根据本申请的实施例的半导体结构的示意图。
[0026]其中，上述附图包括以下附图标记：
[0027]100、第一凹槽；101、阻挡层；102、第一氧化层；103、第二氧化层；104、高压器件区；105、低压器件区；106、剩余的第二氧化层；107、第二凹槽；108、预备阻挡层；109、第一栅氧部；110、第二栅氧部；111、介质层；112、氧化材料。
具体实施方式
[0028]应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0029]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底、第一凹槽、阻挡层、第一氧化层以及第二氧化层，所述衬底包括高压器件区以及低压器件区，所述低压器件区位于所述高压器件区的一侧，所述阻挡层位于所述高压器件区上，所述第一凹槽位于所述低压器件区中，所述第一氧化层位于所述阻挡层的远离所述高压器件区的表面上，所述第二氧化层覆盖所述第一凹槽的侧壁，且所述第一氧化层的厚度小于所述第二氧化层的厚度；去除所述第一氧化层以及部分的所述第二氧化层，以使得所述阻挡层裸露；去除所述阻挡层后，去除剩余的所述第二氧化层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供衬底、第一凹槽、阻挡层、第一氧化层以及第二氧化层，包括：提供预备衬底，所述预备衬底包括所述高压器件区以及所述低压器件区；去除所述预备衬底的部分，以在所述低压器件区中形成第二凹槽；在所述高压器件区上形成预备阻挡层；对所述第二凹槽的裸露侧壁以及所述预备阻挡层进行氧化，以分别形成所述第二氧化层以及所述第一氧化层，剩余的所述预备阻挡层形成所述阻挡层，剩余的所述第二凹槽形成所述第一凹槽。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述第二凹槽的裸露侧壁以及所述预备阻挡层进行氧化，包括：采用炉管湿氧工艺对所述第二凹槽的裸露侧壁以及所述预备阻挡层进行氧化。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，去除所述预备衬底的部分，以在所述低压器件区中形成第二凹槽，包括：去除所述预备衬底的部分，在所述高压器件区中形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李劲昊，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：