半导体元件及其制造方法技术

技术编号：33514181 阅读：35 留言：0更新日期：2022-05-19 01:22

一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包含第一介电层位于元件基底层之上，第一介电层有具第一侧壁的第一开口；第一内连部延伸通过第一开口；以及覆盖层位于第一内连部的上表面之上，其中覆盖层包含第一金属、碳、与氮。与氮。与氮。

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【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制造方法

[0001]本揭露的实施方式是有关于一种半导体元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]电流侵蚀在半导体元件内连部的导电材料中造成空隙与点蚀，而降低元件的可靠度与有用元件的寿命。电流侵蚀是由半导体元件制造制程期间的晶圆上的电荷积聚所造成。半导体元件内连中的空隙促成电迁移缺陷、电压元与电路构件之间的电阻增加、以及电路构件性能的不匹配。在半导体元件的制造流程期间，暴露于强酸与碱会恶化电流侵蚀与点蚀。

技术实现思路

[0003]一个广义态样包含一种半导体元件。此半导体元件亦包含第一介电层位于元件基底层上方，第一介电层具有贯穿其中的第一开口，第一开口具有第一侧壁；第一内连部延伸通过第一开口；以及覆盖层位于第一内连部的上表面的上方，其中覆盖层可包含第一金属、碳、与氮。此态样的其他实施方式包含对应的计算机系统、设备、与记录在一或多个计算机储存装置上的计算机程序，这些均配置以进行方法的动作。
[0004]一个广义的态样包含一种半导体元件的制造方法。此方法亦包含沉积第一介电层于半导体元件的基底层的上方；形成第一开口穿过第一介电层，以暴露出半导体元件的基底层；形成第一内连部于第一开口中；形成覆盖层，覆盖层可包含第一金属位于内连部的上表面的上方；以及改质覆盖层以具有有机金属薄膜。此态样的其他实施方式包含对应的计算机系统、设备、与记录在一或多个计算机储存装置上的计算机程序，这些均配置以进行方法的动作。
[0005]一个广义的态样包含一种半导体元件的制造方法。此方法亦包含沉积介电层于内...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：一第一介电层，位于一元件基底层的上方，该第一介电层具有贯穿其中的一第一开口，该第一开口具有一第一侧壁；一第一内连部，延伸通过该第一开口；以及一覆盖层，位于该第一内连部的一上表面的上方，其中该覆盖层包含一第一金属、碳、与氮。2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一金属包含钴。3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该半导体元件还包含：一衬垫层，包含一第二金属的一氮化物，其中该衬垫层介于该第一开口的该第一侧壁与该第一内连部之间；以及一晶种层，包含该第一金属，其中该晶种层介于该衬垫层与该第一内连部之间。4.根据权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，该第一金属包含钴，以及该第二金属包含钽。5.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，该方法包含：沉积一第一介电层于该半导体元件的一基底层的上方；形成一第一开口穿过该第一介电层，以暴露出该半导体元件的该基底层；形成一第一内连部于该第一开口中；形成一覆盖层，该覆盖层包含一第一金属位于该内连部的一上表面的上方；以及改质该覆盖层以具有一有机金属薄膜。6.根据权利要求5所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：摩尔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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