半导体结构和形成半导体器件的方法技术

本申请的实施例提供了一种半导体结构，包括：n型外延源极/漏极部件(NEPI)和p型外延源极/漏极部件(PEPI)，位于衬底上方，其中，NEPI的顶面低于PEPI的顶面。该半导体结构还包括：金属化合物部件，设置在NEPI的顶面和PEPI的顶面上；接触部件，设置在金属化合物部件上并且在NEPI和PEPI两者上方；以及通孔结构，设置在接触部件上方和NEPI上方，其中，通孔结构部分地位于接触部件中。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。还提供了形成半导体器件的方法。还提供了形成半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构和形成半导体器件的方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体结构和形成半导体器件的方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)行业经历了快速增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都比前一代具有更小、更复杂的电路。在IC发展的过程中，通常是功能密度(即每个芯片区域的互连器件的数量)增加了，而几何尺寸(即可以使用制造工艺产生的最小部件(或者导线))却减小了。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供收益。这种按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性，并且要实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似的发展。进步的一个领域在于源极/漏极(S/D)部件和落在S/D部件上的导电部件中。例如，如何形成S/D部件能够减小S/D部件和导电部件之间的串联电阻。

技术实现思路

[0003]根据本申请的实施例，提供了一种半导体结构，包括：n型外延源极/漏极部件(NEPI)和p型外延源极/漏极部件(PEPI)，位于衬底上方，其中，n型外延源极/漏极部件(NEPI)的顶面低于p型外延源极/漏极部件(PEPI)的顶面；金属化合物部件，设置在n型外延源极/漏极部件(NEPI)的顶面和p型外延源极/漏极部件(PEPI)的顶面上；接触部件，设置在金属化合物部件上并且在n型外延源极/漏极部件(NEPI)和p型外延源极/漏极部件(PEPI)两者上方；以及通孔结构，设置在接触部件上方和n型外延源极/漏极部件(NEPI)上方，其中，通孔结构部分地位于接触部件中。
[0004]根据本申请的另一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：第一鳍部结构和第二鳍部结构，位于衬底上方；n型外延源极/漏极部件(NEPI)，生长在第一鳍部结构的凹进的部分上，其中，n型外延源极/漏极部件(NEPI)的高度比在n型外延源极/漏极部件(NEPI)的最宽部分处所测量的n型外延源极/漏极部件(NEPI)的临界尺寸(CD)大出至少1.5倍；p型外延源极/漏极部件(PEPI)，生长在第二鳍部结构的凹进的部分上，其中，p型外延源极/漏极部件(PEPI)的最上表面高于n型外延源极/漏极部件(NEPI)的最上表面；介电鳍部，位于衬底上方并且位于n型外延源极/漏极部件(NEPI)和p型外延源极/漏极部件(PEPI)之间，其中，n型外延源极/漏极部件(NEPI)和介电鳍部之间的最短水平距离大于p型外延源极/漏极部件(PEPI)和介电鳍部之间的最短水平距离；金属化合物部件，设置在n型外延源极/漏极部件(NEPI)、p型外延源极/漏极部件(PEPI)、和介电鳍部上方；接触部件，设置在金属化合物部件上；以及通孔结构，设置在接触部件上方并且在n型外延源极/漏极部件(NEPI)正上方，其中，通孔结构部分地延伸至接触部件中。
[0005]根据本申请的又一个实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：提供具有衬底的结构、位于衬底上方的隔离结构、从衬底延伸并且凸出于隔离结构之上的第一半导体鳍部和第二半导体鳍部、从隔离结构以及第一半导体鳍部和第二半导体鳍部之间延伸的
介电鳍部、以及分别位于第一半导体鳍部和第二半导体鳍部的侧壁上的第一介电间隔件和第二介电间隔件；形成第一蚀刻掩模，第一蚀刻掩模覆盖第二半导体鳍部和第二介电间隔件，并且暴露第一半导体鳍部和第一介电间隔件；通过第一蚀刻掩模来蚀刻第一半导体鳍部和第一介电间隔件，获得第一半导体鳍部的凹进的部分，其中，第一介电间隔件的所剩部分具有第一高度；在第一半导体鳍部的凹进的部分上外延地生长n型源极/漏极部件，其中，n型源极/漏极部件的最上表面比第一半导体鳍部的最上表面高出第一升高高度；去除第一蚀刻掩模；形成第二蚀刻掩模，第二蚀刻掩模覆盖n型源极/漏极部件、第一半导体鳍部、和第一介电间隔件的所剩部分，并且暴露第二半导体鳍部和第二介电间隔件；通过第二蚀刻掩模来蚀刻第二半导体鳍部和第二介电间隔件，获得第二半导体鳍部的凹进的部分，其中，第二介电间隔件的所剩部分具有第二高度，第二高度大于第一高度；以及在第二半导体鳍部的凹进的部分上外延地生长p型源极/漏极部件，其中，p型源极/漏极部件的最上表面比第二半导体鳍部的最上表面高出第二升高高度，第二升高高度大于第一升高高度。
[0006]根据本申请的实施例，还提供了用于提高接触件质量的源极/漏极EPI结构。
附图说明
[0007]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0008]图1A示出了根据本专利技术的实施例的在制造阶段中的部分的半导体器件的透视图；
[0009]图1B
‑
1、图1B
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2、图1B
‑
3、和图1B
‑
4示出了根据本专利技术的实施例的在制造阶段中的部分的位于S/D区中并且沿着图1A中的BB线的图1A的半导体器件的截面图；
[0010]图1C和图1D示出了根据本专利技术的实施例的在制造阶段中的部分的图1A的半导体器件和分别沿着图1A中的C
‑
C线和D
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D线的截面图；
[0011]图2A和图2B示出了根据本专利技术的实施例的形成半导体器件的方法的流程图；
[0012]图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20、和图21是根据本专利技术的实施例的在根据图2A
‑
图2B中的方法的各种制造阶段期间，沿着图1A中的B
‑
B线的图1A的半导体器件的一部分的截面图；
[0013]图22和图23示出了根据本专利技术的实施例的分别用于形成NEPI和PEPI的一些工艺条件。
具体实施方式
[0014]以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。另外，本专利技术可以在各个实例中重复参考数字和/或字母。该重复是出于简化和清楚的目的，其本身并不指示所讨论的各种实施例和/或结构之间的关系。
[0015]而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在
…
之下”、“在
…
下方”、“下部”、“在
…
之
上”、“上部”等空间相对术语，以容易地描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。更进一步，当用“大约”、“近似本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：n型外延源极/漏极部件(NEPI)和p型外延源极/漏极部件(PEPI)，位于衬底上方，其中，所述n型外延源极/漏极部件(NEPI)的顶面低于所述p型外延源极/漏极部件(PEPI)的顶面；金属化合物部件，设置在所述n型外延源极/漏极部件(NEPI)的所述顶面和所述p型外延源极/漏极部件(PEPI)的所述顶面上；接触部件，设置在所述金属化合物部件上并且在所述n型外延源极/漏极部件(NEPI)和所述p型外延源极/漏极部件(PEPI)两者上方；以及通孔结构，设置在所述接触部件上方和所述n型外延源极/漏极部件(NEPI)上方，其中，所述通孔结构部分地位于所述接触部件中。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述通孔结构和所述金属化合物部件之间的最短距离为至少5nm。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述n型外延源极/漏极部件(NEPI)的总体积大于所述p型外延源极/漏极部件(PEPI)的总体积。4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：介电鳍部，位于所述衬底上方并且位于所述n型外延源极/漏极部件(NEPI)和所述p型外延源极/漏极部件(PEPI)之间，其中，所述n型外延源极/漏极部件(NEPI)和所述介电鳍部之间的最短水平距离大于所述p型外延源极/漏极部件(PEPI)和所述介电鳍部之间的最短水平距离。5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：一个或者多个介电层，围绕所述n型外延源极/漏极部件(NEPI)、所述p型外延源极/漏极部件(PEPI)、所述金属化合物部件、所述接触部件、和所述通孔结构；以及阻挡层，设置在所述接触部件和所述一个或者多个介电层之间，其中，所述通孔结构直接接触所述接触部件和所述一个或者多个介电层。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述通孔结构延伸至所述接触部件中约5nm至约15nm。7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：第一鳍部结构和第二鳍部结构，位于所述衬底上方，其中，所述n型外延源极/漏极部件(NEPI)生长在所述第一鳍部结构的凹进的部分上方，并且所述p型外延源极/漏极部件(PEPI)生长在所述第二鳍部结构的凹进的部分上方；第一侧壁间隔件，沿着所述第一鳍部结构的所述凹进的部分的侧壁设置；以及第二侧壁间隔件，沿着所述第二鳍部结构的所述凹进的部分的侧壁设置；其中，所述第二侧壁间隔件高于所述第一侧壁间隔件。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述第二侧壁间隔件比所述第一侧壁间隔件高出四倍至八倍。9.一种半导体结构，包括：第一鳍部结构和第二鳍部结构，位于衬底上方；n型外延源极/漏极部件(NEPI)，生长在所述第一鳍部结构的凹进的部分上，其中，所述n型外延源...

【专利技术属性】
技术研发人员：沙哈吉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：