集成电路器件制造技术

本公开提供一种集成电路器件。在一些实施例中，转移栅电极在表面以下。在一些实施例中，转移栅电极的顶部几乎与浮接扩散区的底部齐平或低于浮接扩散区的底部。在一些实施例中，转移栅电极部分环绕浮接扩散区的范围。在一些实施例中，转移栅电极完全围绕浮接扩散区的范围。将转移栅嵌入衬底以减少表面拥挤并允许减小尺寸。转移栅电极环绕浮接扩散区的范围增加了转移栅通道的范围，同时限制了转移栅所占用的范围。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种集成电路器件。

技术介绍

1、具有图像传感器的集成电路(ic)广泛用于现代电子产品器件，例如相机及手机。互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide semiconductor,cmos)器件已成为流行的集成电路图像传感器。与电荷耦合器件(charge-coupled device,ccd)相比，互补金属氧化物半导体图像传感器(cmos image sensor,cis)具有功耗低、体积小、数据处理速度快、数据直接输出、制造成本低等优点，越来越受到青睐。作为减小集成电路器件尺寸的驱动力的一部分，长期以来，人们一直认为需要使cis像素更小。当cis像素变得越来越小，解决封装问题、保持灵敏度及减少串扰变得具有挑战性。

技术实现思路

1、在本公开的实施例中，集成电路器件包括半导体衬底及包括光电二极管、转移栅电极及浮接扩散区的光探测器像素。所述光电二极管以及所述浮接扩散区在所述半导体衬底中。转移栅电极被局限在所述半导体衬底的前侧之下。

2、在本公开的实施例中，集成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述转移栅电极的顶部在所述浮接扩散区的顶部或低于所述浮接扩散区的顶部。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述转移栅电极是弯曲的，凹侧面向所述浮接扩散区的范围。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，还包括围绕所述光探测器像素的隔离结构，其中所述隔离结构包括导电芯并且所述导电芯的上表面与所述转移栅电极的上表面在垂直方向上对齐。

6.根据权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述转移栅电极的顶部在所述浮接扩散区的顶部或低于所述浮接扩散区的顶部。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，所述转移栅电极是弯曲的，凹侧面向所述浮接扩散区的范围。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其特征在于，还包括围绕所述光探测器像素的隔离结构，其中所述隔离结构包括导...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈思莹，廖俞闵，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：