半导体器件及其制造方法技术

本公开涉及半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种器件包括：第一沟道区域；第二沟道区域；以及包围所述第一沟道区域和所述第二沟道区域的栅极结构，所述栅极结构包括：栅极电介质层；位于所述栅极电介质层上的第一p型功函数金属，所述第一p型功函数金属包括氟和铝；位于所述第一p型功函数金属上的第二p型功函数金属，所述第二p型功函数金属的氟浓度和铝浓度低于所述第一p型功函数金属的氟浓度和铝浓度；以及位于所述第二p型功函数金属上的填充层。的填充层。的填充层。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体领域，更具体涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体器件被用于各种电子应用，例如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式来制造：在半导体衬底之上按顺序地沉积材料的绝缘或电介质层、导电层和半导体层，并且使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件。
[0003]半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多组件被集成到给定区域中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了额外应解决的问题。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：第一沟道区域；第二沟道区域；以及栅极结构，包围所述第一沟道区域和所述第二沟道区域，所述栅极结构包括：栅极电介质层；第一p型功函数金属，位于所述栅极电介质层上，所述第一p型功函数金属包括氟和铝；第二p型功函数金属，位于所述第一p型功函数金属上，所述第二p型功函数金属的氟浓度和铝浓度低本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一沟道区域；第二沟道区域；以及栅极结构，包围所述第一沟道区域和所述第二沟道区域，所述栅极结构包括：栅极电介质层；第一p型功函数金属，位于所述栅极电介质层上，所述第一p型功函数金属包括氟和铝；第二p型功函数金属，位于所述第一p型功函数金属上，所述第二p型功函数金属的氟浓度和铝浓度低于所述第一p型功函数金属的氟浓度和铝浓度；以及填充层，位于所述第二p型功函数金属上。2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述栅极结构的第一区域设置在所述第一沟道区域和所述第二沟道区域之间，并且其中，所述栅极结构的第一区域中的氟与铝之比在0.005到0.1的范围内。3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述栅极结构还包括：金属残余物，位于所述第一p型功函数金属和所述第二p型功函数金属之间的界面处，所述金属残余物包括铝和钨。4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述栅极结构的第一区域设置在所述第一沟道区域和所述第二沟道区域之间，并且其中，所述栅极结构的第一区域中的氟与钨之比在0.005到0.1的范围内。5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述栅极电介质层包括氟和铪。6.根据权利要求5所述的器件，其中，所述栅极结构的第一区域设置在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李欣怡，洪正隆，徐志安，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：