图像传感器及其形成方法技术

一些实施例涉及一种图像传感器。该图像传感器包括半导体衬底，该半导体衬底包括像素区和外围区。背面隔离结构延伸至半导体衬底的背面中并横向包围像素区。该背面隔离结构包括金属芯，并且介电衬垫将金属芯与半导体衬底分离。导电部件设置在半导体衬底的正面上方。贯穿衬底通孔从半导体衬底的背面延伸穿过外围区以与导电部件接触。该贯穿衬底通孔与背面隔离结构横向偏移。导电桥设置在半导体衬底的背面下方并将背面隔离结构的金属芯电耦合至贯穿衬底通孔。本申请的实施例提供了图像传感器及其形成方法。及其形成方法。及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及图像传感器及其形成方法。

技术介绍

[0002]具有图像传感器的集成电路(IC)广泛用于现代电子器件，诸如相机和手机。互补金属氧化物半导体(CMOS)器件已成为流行的IC图像传感器。与电荷耦合器件(CCD)相比，CMOS图像传感器由于功耗低、尺寸小、数据处理速度快、数据直接输出和制造成本低而越来越受到青睐。随着IC尺寸的缩小，CMOS器件中的小像素尺寸是符合期望的。对于较小的像素尺寸，像素之间的串扰可能成为一个问题，而独特的解决方案可提高小尺寸CMOS像素尺寸的性能。

技术实现思路

[0003]一些实施例涉及一种图像传感器。所述图像传感器包括：半导体衬底，包括像素区和外围区。背面隔离结构延伸至所述半导体衬底的背面中并横向包围所述像素区。所述背面隔离结构包括金属芯，并且介电衬垫将所述金属芯与所述半导体衬底分离。导电部件设置在所述半导体衬底的正面上方。贯穿衬底通孔从所述半导体衬底的所述背面延伸穿过所述外围区以与所述导电部件接触。所述贯穿衬底通孔与所述背面隔离结构横向偏移。导电桥设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：半导体衬底，包括像素区和外围区；背面隔离结构，延伸至所述半导体衬底的背面并横向包围所述像素区，所述背面隔离结构包括金属芯以及将所述金属芯与所述半导体衬底分离的介电衬垫；导电部件，设置在所述半导体衬底的正面上方；贯穿衬底通孔，从所述半导体衬底的所述背面延伸穿过所述外围区以与所述导电部件接触，所述贯穿衬底通孔与所述背面隔离结构横向偏移；以及导电桥，设置在所述半导体衬底的所述背面下方并将所述背面隔离结构的所述金属芯电耦合至所述贯穿衬底通孔。2.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：背面连接结构，跨越所述像素区和所述外围区两者延伸并与所述导电桥和所述背面隔离结构的所述金属芯两者直接接触。3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：背面导电迹线，位于所述背面隔离结构的所述金属芯正下方并与所述背面隔离结构的所述金属芯对准。4.根据权利要求3所述的图像传感器，还包括：分离层，包括设置在所述背面导电迹线与所述背面隔离结构的所述金属芯之间的介电材料。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述背面导电迹线包括铝或钨。6.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：背面导电迹线，位于所述背面隔离结构的所述金属芯正下方并与所述背面隔离结构的所述金属芯横向偏移。7.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：附加贯穿衬底通孔，从所述半导体衬底的所述背面延伸穿过所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高敏峰，杨敦年，刘人诚，郭文昌，陈昇照，洪丰基，李昇展，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：