固态成像装置和固态成像装置的制造方法制造方法及图纸

根据本公开一个实施方案的固态成像装置包括：多个光电转换部，其层叠在半导体基板上且具有彼此不同的波长选择性；和配线，其形成在所述半导体基板上且电气连接到所述多个光电转换部。各个所述光电转换部包括光电转换膜以及隔着所述光电转换膜配置的第一电极和第二电极。所述配线在所述半导体基板的法线方向上延伸，并且包括与各个所述光电转换部的第二电极接触形成的垂直配线。电极接触形成的垂直配线。电极接触形成的垂直配线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态成像装置和固态成像装置的制造方法


[0001]本公开涉及一种固态成像装置以及固态成像装置的制造方法。

技术介绍

[0002]使用诸如有机半导体材料等具有波长选择性的材料的光电转换部能够对特定波段的光执行光电转换。例如，专利文献1～4各自公开了一种包括针对每个像素的光电转换部的固态成像装置。
[0003]引用文献列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本未审查专利申请公开No.2005
‑
51115
[0006]专利文献2：日本未审查专利申请公开No.2003
‑
332551
[0007]专利文献3：日本未审查专利申请公开No.2011
‑
29337
[0008]专利文献4：日本未审查专利申请公开No.2017
‑
157816

技术实现思路

[0009]顺便提及的是，在上述固态成像装置中，在针对每个像素设置具有彼此不同的波长选择性的多个光电转换部的情况下，为了获得作为像素信号的由各个光电转换部产本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种固态成像装置，包括：多个光电转换部，其层叠在半导体基板上且具有彼此不同的波长选择性；和配线，其形成在所述半导体基板上且电气连接到所述多个光电转换部，其中各个所述光电转换部包括光电转换膜以及隔着所述光电转换膜配置的第一电极和第二电极，和所述配线在所述半导体基板的法线方向上延伸，并且包括与各个所述光电转换部的第二电极接触形成的垂直配线。2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中各个所述光电转换部的第二电极被配置为在所述半导体基板的法线方向上彼此相对，和所述垂直配线在所述半导体基板的法线方向上配置在与第二电极相对的位置处。3.根据权利要求2所述的固态成像装置，还包括像素电路，所述像素电路形成在所述半导体基板上，并且基于从所述多个光电转换部输出的电荷产生并输出像素信号，其中所述垂直配线形成为延伸到形成所述像素电路的层。4.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中在所述多个光电转换部之中，在所述半导体基板的法线方向上彼此相邻的第一光电转换部和第二光电转换部被配置为使得第一光电转换部和第二光电转换部的各自第一电极彼此相对。5.根据权利要求4所述的固态成像装置，还包括与第一光电转换部的第一电极接触的第一密封膜以及与第二光电转换部的第一电极接触的第二密封膜，其中第一密封膜和第二密封膜具有通过预定的接合处理而彼此接合的接合面。6.根据权利要求5所述的固态成像装置，其中所述垂直配线被构造为包括柱状导电构件，所述柱状导电构件贯通与所述接合面相同的面并且未经过所述接合处理。7.根据权利要求5所述的固态成像装置，其中所述固态成像装置还包括位于所述接合面上的碳膜，所述碳膜将第一密封膜和第二密封膜接合在一起。8.根据权利要求5所述的固态成像装置，其中第一密封膜和第二密封膜均包括无机氧化物膜、无机氮化物膜或无机氧氮化物膜。9.根据权利要求4所述的固态成像装置，其中第一光电转换部的第一电极和第二光电转换部的第一电极具有通过预定的接合处理而彼此接合的接合面。10.根据权利要求9所述的固态成像装置，其中所述垂直配线被构造为包括柱状导电构件，所述柱状导电构件贯通与所述接合面相同的面并且未经过所述接合处理。11.根据权利要求9所述的固态成像装置，其中所述固态成像装置还包括位于所述接合面上的碳膜，所述碳膜将第一光电转换部的第一电极和第二光电转换部的第一电极接合在一起。12.根据权利要求9所述的固态成像装置，其中第一电极包括透明导电膜。13.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中所述光电转换膜包括有机光电转换膜或无机光电转换膜。14.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：定荣正大，村田贤一，古闲史彦，八木岩，平田晋太郎，富樫秀晃，齐藤阳介，藤井宣年，
申请(专利权)人：索尼集团公司，
类型：发明
国别省市：