摄像元件制造技术

本公开的一个方式所涉及的摄像元件具备：第1像素阵列，包括吸收第1波段的光的第1光电转换部、以及与第1光电转换部连接的第1像素电极；以及第2像素阵列，包括吸收第2波段的光的第2光电转换部、以及与第2光电转换部连接的第2像素电极。第1波段的中心波长与第2波段的中心波长不同。第1像素阵列与第2像素阵列被层叠。在平面图中，通过第1像素电极与第2像素电极重叠而规定的重叠区域的面积，小于从第1像素电极去除重叠区域后的剩余区域的面积。素电极去除重叠区域后的剩余区域的面积。素电极去除重叠区域后的剩余区域的面积。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像元件


[0001]本公开涉及摄像元件。

技术介绍

[0002]摄像元件被广泛使用于摄像机、数字照相机、监视相机及车载相机等各种产品领域。作为摄像元件，能够使用CCD(电荷耦合器件(Charge Coupled Device))摄像元件或者CMOS(互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor))摄像元件。
[0003]近年来，随着摄像元件的像素的高密度化，像素的大小有缩小的倾向，光电二极管等光电转换部的面积也不断缩小。
[0004]专利文献1公开了具有被层叠的多个光电转换膜的摄像元件。这种类型的摄像元件有时被称为层叠型摄像元件。层叠型摄像元件在提高像素密度的观点上是有利的。
[0005]在先技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本特许第4320270号公报

技术实现思路

[0008]本专利技术所要解决的课题
[0009]层叠型摄像元件的1个课题在于提高灵敏度。
[0010]用于解决课题的手段...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种摄像元件，具备：第1像素阵列，包括吸收第1波段的光的第1光电转换部、以及与所述第1光电转换部连接的第1像素电极；以及第2像素阵列，包括吸收第2波段的光的第2光电转换部、以及与所述第2光电转换部连接的第2像素电极，所述第1波段的中心波长与所述第2波段的中心波长不同，所述第1像素阵列与所述第2像素阵列被层叠，在平面图中，通过所述第1像素电极与所述第2像素电极重叠而规定的重叠区域的面积，小于从所述第1像素电极去除所述重叠区域后的剩余区域的面积。2.一种摄像元件，具备：第1像素阵列，包括吸收第1波段的光的第1光电转换部、以及与所述第1光电转换部连接的至少1个第1像素电极；第2像素阵列，包括吸收第2波段的光的第2光电转换部、以及与所述第2光电转换部连接的第2像素电极；第1滤光器，使所述第1波段的光透射；以及第2滤光器，使所述第2波段的光透射，所述第1波段的中心波长与所述第2波段的中心波长不同，所述第1像素阵列与所述第2像素阵列被层叠，在平面图中，所述第1滤光器与所述至少1个第1像素电极重叠，所述第2滤光器与所述第2像素电极重叠。3.一种摄像元件，具备：第1像素阵列，包括吸收第1波段的光的第1光电转换部、以及与所述第1光电转换部连接的至少1个第1像素电极；第2像素阵列，包括吸收第2波段的光的第2光电转换部、以及与所述第2光电转换部连接的第2像素电极；第1透镜；以及第2透镜，所述第1波段的中心波长与所述第2波段的中心波长不同，所述第1像素阵列与所述第2像素阵列被层叠，在平面图中，所述第1透镜的光轴位于所述至少1个第1像素电极的中心区域，所述第2透镜的光轴位于所述第2像素电极的中心区域。4.如权利要求1所述的摄像元件，在平面图中，所述第1像素电极与所述第2像素电极不重叠，所述重叠区域的面积为零。5.如权利要求2所述的摄像元件，所述至少1个第1像素电极包括多个第1像素电极，所述摄像元件还具备：第3滤光器，使与所述第1波段及所述第2波段不同的第3波段的光透射，在平面图...

【专利技术属性】
技术研发人员：宍戸三四郎，留河优子，町田真一，土居隆典，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：