用于半导体器件的钝化层及其制造方法技术

一种半导体器件，包括超厚金属(UTM)结构。半导体器件包括钝化层，钝化层包括第一钝化氧化物。第一钝化氧化物包括非偏置膜和第一偏置膜，其中非偏置膜在超厚金属结构的部分的上方且在超厚金属结构形成于其上的层的部分的上方，且第一偏置膜在非偏置膜上。钝化层包括由第二偏置膜组成的第二钝化氧化物，第二偏置膜在第一偏置膜上。钝化层包括由第三偏置膜组成的第三钝化氧化物，第三偏置膜在第二偏置膜上。上。上。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体器件的钝化层及其制造方法


[0001]本公开的实施例涉及一种用于半导体器件的钝化层及其制造的方法。

技术介绍

[0002]半导体器件可包括钝化层。钝化层可用于保护半导体器件的其它(下部)层或元件免于损害。钝化层可例如在半导体器件的金属化制造流程完成之后形成。

技术实现思路

[0003]本公开中所描述的一些实施例提供一种半导体器件。半导体器件包括超厚金属(UTM)结构。半导体器件包括钝化层，所述钝化层包括第一钝化氧化物，所述第一钝化氧化物包括非偏置膜和第一偏置膜，其中非偏置膜在UTM结构的部分上且在UTM结构形成于其上的层的部分上，且第一偏置膜在非偏置膜上。钝化层包括由第二偏置膜组成的第二钝化氧化物，第二偏置膜在第一偏置膜上。钝化层包括由第三偏置膜组成的第三钝化氧化物，第三偏置膜在第二偏置膜上。
[0004]本公开中所描述的一些实施例提供一种用于半导体器件的钝化层及其制造的方法。所述方法包括在半导体器件的UTM结构上且在UTM结构形成于其上的半导体器件的层的部分上形成非偏置膜。所述方法包括在非偏置膜上形成第一偏置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：超厚金属(UTM)结构；以及钝化层，所述钝化层包括：第一钝化氧化物，包括非偏置膜和第一偏置膜，其中所述非偏置膜在所述超厚金属结构的部分上且在所述超厚金属结构形成于其上的层的部分上，且所述第一偏置膜在所述非偏置膜上；第二钝化氧化物，由第二偏置膜组成，所述第二偏置膜在所述第一偏置膜上；以及第三钝化氧化物，由第三偏置膜组成，所述第三偏置膜在所述第二偏置膜上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述超厚金属结构的邻近部分之间的所述第一钝化氧化物、所述第二钝化氧化物以及所述第三钝化氧化物的总厚度大于所述超厚金属结构的给定部分的高度。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述钝化层在所述超厚金属结构的邻近部分之间的区域中具有至少大致110
°
的轮廓角，其中所述轮廓角是所述超厚金属结构的所述邻近部分之间的间隙的大致中间上方的所述钝化层的表面的一部分与所述超厚金属结构的所述邻近部分中的一个的边缘上方的所述钝化层的表面的一部分之间的角度。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三钝化氧化物的厚度小于或等于所述超厚金属结构的邻近部分之间的区域中的所述第一钝化氧化物的厚度。5.一种用于半导体器件的钝化层及其制造的方法，包括：在半导体器件的超厚金属(UTM)结构上且在所述超厚金属结构形成于其上的所述半导体器件的层的部分上形成非偏置膜；在所述非偏置膜上形成第一偏置膜；在所述第一偏置膜上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘力群，王俊棠，王志弘，李庆峰，叶玉隆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：