有机化合物及包含其的电子元件和电子装置制造方法及图纸

本申请提供一种有机化合物及其电子元件和电子装置，属于有机电致发光技术领域。本申请的化合物包含稠合共轭环体系，还具有立体的芳胺基团，能有效提高材料的热稳定性、膜稳定性、载流子迁移率。本申请化合物应用于有机电致发光器件可以提高器件的发光效率和寿命。致发光器件可以提高器件的发光效率和寿命。致发光器件可以提高器件的发光效率和寿命。

【技术实现步骤摘要】
有机化合物及包含其的电子元件和电子装置


[0001]本申请涉及有机电致发光
，具体而言，涉及一种有机化合物及包含其的电子元件和电子装置。

技术介绍

[0002]目前，OLED由于其亮度高、响应快、适应性广等优点已广泛备用于手机、电脑、照明等领域。有机电致发光材料是通过有机光电功能材料制备的薄膜器件在电场的激发下进行发光。有机电致发光器件除了电极材料膜层，还需要不同有机功能材料组成，而有机功能材料的半导性质则是材料分子内移位的π键，π键或反π键轨道形成了移位的原子价和传导性能，其交迭分别产生了最高占据轨道(HOMO)和分子最低空轨道(LUMO)，通过分子间跳跃产生电荷传输。
[0003]有机发光器件结构中，电子阻挡层用于阻挡有机发光层传输过来的电子，进而保证电子和空穴能够很高效地在有机发光层复合；同时，电子阻挡层还可以阻挡有机发光层扩散过来的激子，减少激子的三线态淬灭，进而保证有机电致发光器件的发光效率。电子阻挡层的化合物具有比较高的LUMO值，其可以有效阻挡电子和激子从有机发光层向阳极方向的传输和扩散。
[0004]有机电致发光器件性能的不断提升，不仅需要有机电致发光器件的结构和制作工艺的创新，也需要有机电致光电功能材料的不断研究和创新。目前，通过改变有机功能材料来提高有机电致发光器件性能，需满足降低器件的驱动电压，提高器件的发光效率，提高器件的使用寿命的能力。
[0005]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
[0006]申请内容
[0007]本申请的目的在于克服上述现有技术中的不足，提供一种有机化合物，所述有机化合物的结构通式如化学式1所示：
[0008][0009]其中，表示化学键；R5和R6彼此相同或不同，且分别独立地选自碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为3～20的杂芳基、氢、氘、卤素基团、氰基，或者，R5和R6相互连接以与它们所共同连接的碳原子一起形成取代或未取代的5～18元脂肪族环或5～18元芳香环，所述5～18元脂肪族环或5～18元芳香环上的取代基各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1
～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基；
[0010]各R1、R2、R3和R4彼此相同或不同，且分别独立地选自氢、氘、卤素、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～12的杂芳基、化学式2所示的基团，且所述R1、R2、R3和R4中有1、2、3或4个为化学式2所示的基团；
[0011]R1、R2、R3、R4以R
i
表示，n1～n4以n
i
表示，n
i
表示R
i
的个数，i为变量，表示1、2、3和4，当i为1或4时，n
i
选自1、2、3或4；当i为2时，ni选自1、2或3；当i为3时，ni选自1或2；且当n
i
大于1时，任意两个n
i
相同或不同；
[0012]L1、L2和L3相同或不同，且分别独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、或者碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
[0013]Ar1和Ar2相同或不同，且分别独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、或者碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0014]所述L1、L2、L3、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～20的杂芳基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为3～12的三烷基硅烷基、碳原子数为6～18的芳基硅烷基、碳原子数为6～20的芳氧基、碳原子数为6～20的芳硫基；或者，L1、L2、L3、Ar1和Ar2中任意两个相邻的取代基形成5～13元脂肪族环或5～13元芳香环。
[0015]本申请的化合物具有咔唑并芴的稠环母核，该母核结构具有较好的空穴迁移率，并且该母核为非平面大共轭体系结构，能有效提高材料的空间位阻，避免化合物层叠，进而提高成膜稳定性，并且在稠环上连接芳胺基团，可以进一步有效降低大平面共轭结构间的相互作用，减小分子的堆叠，通过调节芳胺上的取代基团，进一步提高了空穴的传输能力，减小了单线态和三线态的能级差，使化合物具有优良的空穴传输性能。本申请化合物可应用于有机电致发光器件的空穴传输层或空穴调整层(电子阻挡层)，使器件具有较低的驱动电压，还可以提高器件的发光效率和使用寿命。
[0016]根据本申请的第二个方面，提供一种电子元件，包括阳极、阴极、以及介于阳极与阴极之间的至少一层功能层，功能层包含上述的有机化合物。
[0017]根据本申请的第三个方面，提供一种电子装置，包括上述的电子元件。
[0018]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
附图说明
[0019]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。
[0020]在附图中：
[0021]图1是本申请的有机电致发光器件的一实施方式的结构示意图。
[0022]图2是本申请一实施方式的电子装置的结构示意图。
[0023]附图标记说明
[0024]100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320、空穴传输层；330、电子阻挡层；340、有机电致发光层；350、电子传输层；360、电子注入层；400、电子装置。
具体实施方式
[0025]现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。
[0026]在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0027]所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机化合物，其中，所述有机化合物的结构通式如化学式1所示：其中，表示化学键；R5和R6彼此相同或不同，且分别独立地选自碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为3～20的杂芳基、氢、氘、卤素基团、氰基，或者，R5和R6相互连接以与它们所共同连接的碳原子一起形成取代或未取代的5～18元脂肪族环或5～18元芳香环，所述5～18元脂肪族环或5～18元芳香环上的取代基各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基；各R1、R2、R3和R4彼此相同或不同，且分别独立地选自氢、氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～12的杂芳基、化学式2所示的基团，且所述R1、R2、R3和R4中有1、2、3或4个为化学式2所示的基团；R1、R2、R3、R4以R
i
表示，n1～n4以n
i
表示，n
i
表示R
i
的个数，i为变量，表示1、2、3和4，当i为1或4时，n
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选自1、2、3或4；当i为2时，ni选自1、2或3；当i为3时，ni选自1或2；且当n
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大于1时，任意两个n
i
相同或不同；L1、L2和L3相同或不同，且分别独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、或者碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；Ar1和Ar2相同或不同，且分别独立地选自碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；所述L1、L2、L3、Ar1和Ar2中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～20的杂芳基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为3～12的三烷基硅烷基、碳原子数为6～18的芳基硅烷基、碳原子数为6～20的芳氧基、碳原子数为6～20的芳硫基；或者，L1、L2、L3、Ar1和Ar2中任意两个相邻的取代基形成5～13元脂肪族环或5～13元芳香环。2.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，所述L1、L2、L3相同或不同，且各自独立地选自单键或碳原子数为6～18的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～18的取代或未取代的杂芳基；可选的，L1、L2、L3中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、苯基、碳原子数为3～8的三烷基硅基、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的卤代烷基、碳原子数为1～4的氘代烷基、碳原子数为1～4的烷氧基、碳原子数为1～4的烷硫基、苯基、萘基、联苯基、蒽基、菲基、吡啶基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基。3.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，所述L1、L2和L3分别独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚
蒽基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚咔唑基或者为上述亚基中两者或三者通过单键连接所形成的亚基基团；可选地，所述L1、L2和L3中的取代基分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三氘代甲基、三甲基硅基、环戊烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基、吡啶基。4.根据权利要求1所述的有机化合物，其中，所述L1、L2和L3分别独立地选自单键或者取代或未取代的基团V，所述未取代的基团V选自如下基团所组成的组：其中，表示化学键；取代的基团V上具有一个或多个的取代基，所述取代基各自独立地选自：氘、氰基、氟、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳娜，华正伸，金荣国，李应文，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：